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    • 啟源

    蕪湖啟源微電子科技合伙企業(yè)（有限合伙）

    存續(xù)
    • 官網(wǎng)：-
    • 地址：安徽省蕪湖市弋江區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)科技產(chǎn)業(yè)園1號(hào)樓104-1
    • 簡介：-
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    • 專利信息 13
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    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 0

    商標(biāo)信息0

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    專利信息13

    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開（公告）號(hào) 公布日期
    1 MOSFET晶體管 實(shí)用新型 CN202022128933.2 CN213459746U 2021-06-15
    2 一種SiC IGBT器件 實(shí)用新型 CN202022074292.7 CN213459736U 2021-06-15
    3 肖特基二極管 實(shí)用新型 CN202022128792.4 CN213242560U 2021-05-18
    4 一種集成柵保護(hù)結(jié)構(gòu)的SiC MOSFET器件 實(shí)用新型 CN202022112680.X CN213212164U 2021-05-14
    5 一種帶有保護(hù)結(jié)構(gòu)的SiC MOSFET器件 實(shí)用新型 CN202022073374.X CN213212163U 2021-05-14
    6 肖特基二極管 實(shí)用新型 CN202022128795.8 CN213184303U 2021-05-11
    7 一種結(jié)型場效應(yīng)晶體管器件及其制備方法 發(fā)明專利 CN202011245808.8 CN112289855A 2021-01-29
    8 一種集成柵保護(hù)結(jié)構(gòu)的SiC MOSFET器件 發(fā)明專利 CN202011013819.3 CN112234058A 2021-01-15
    9 一種帶有保護(hù)結(jié)構(gòu)的SiC MOSFET器件 發(fā)明專利 CN202010994014.5 CN112234057A 2021-01-15
    10 一種SiC IGBT器件及其制備方法 發(fā)明專利 CN202010994010.7 CN112216694A 2021-01-12

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