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    • 新磊

    新磊半導(dǎo)體科技（蘇州）股份有限公司

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    • 地址：蘇州高新區(qū)建林路666號(hào)出口加工區(qū)配套工業(yè)園28號(hào)廠房
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    專利信息59

    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開（公告）號(hào) 公布日期
    1 一種分子束外延設(shè)備中襯底溫度的確定方法 發(fā)明專利 CN202110518840.7 CN113252195A 2021-08-13
    2 一種利用分子束外延制備雪崩光電二極管的方法 發(fā)明專利 CN202110641641.5 CN113097349B 2021-08-06
    3 一種高電子遷移率器件外延生長(zhǎng)工藝參數(shù)的優(yōu)化方法 發(fā)明專利 CN202110596527.5 CN113035697B 2021-07-30
    4 一種利用分子束外延制備雪崩光電二極管的方法 發(fā)明專利 CN202110641641.5 CN113097349A 2021-07-09
    5 一種高電子遷移率器件外延生長(zhǎng)工藝參數(shù)的優(yōu)化方法 發(fā)明專利 CN202110596527.5 CN113035697A 2021-06-25
    6 一種霍爾效應(yīng)電壓確定方法及霍爾測(cè)試系統(tǒng) 發(fā)明專利 CN202010288145.1 CN111474456B 2021-03-05
    7 一種InGaAsP四元系材料分子束外延生長(zhǎng)的定標(biāo)方法 發(fā)明專利 CN201910845381.6 CN110527975B 2020-12-18
    8 一種GaAs基DBR外延材料結(jié)構(gòu) 實(shí)用新型 CN202020540978.8 CN211789981U 2020-10-27
    9 一種分子束外延生長(zhǎng)表面監(jiān)測(cè)裝置 實(shí)用新型 CN202020540945.3 CN211295044U 2020-08-18
    10 一種外延材料結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)參數(shù)確定方法及計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品 發(fā)明專利 CN202010385227.8 CN111540420B 2020-08-14

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    1 新磊半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司 www.epi-solution.com 蘇ICP備12076272號(hào) 企業(yè) 2019-05-05
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