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    • 芯元基

    上海芯元基半導(dǎo)體科技有限公司

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    • 地址：中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)祥科路111號(hào)3號(hào)樓507-2室
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    商標(biāo)信息1

    序號(hào) 商標(biāo)名稱 國(guó)際分類 注冊(cè)號(hào) 狀態(tài) 申請(qǐng)日期 操作
    1 TFFCOG 09類-科學(xué)儀器 20560616 商標(biāo)已注冊(cè) 2016-07-06 查看

    專利信息49

    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開(kāi)（公告）號(hào) 公布日期
    1 含Al氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及器件 實(shí)用新型 CN202022873594.0 CN214043599U 2021-08-24
    2 氮化鎵半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法 發(fā)明專利 CN202110549559.X CN113299736A 2021-08-24
    3 垂直LED芯片結(jié)構(gòu)及其制備方法 發(fā)明專利 CN202110691417.7 CN113284990A 2021-08-20
    4 含Al氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、器件及制備方法 發(fā)明專利 CN202011405574.9 CN112490116A 2021-03-12
    5 氮化鎵肖特基二極管 實(shí)用新型 CN202022001367.9 CN212542440U 2021-02-12
    6 半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)、肖特基二極管 實(shí)用新型 CN202020602776.1 CN212084944U 2020-12-04
    7 氮化鎵肖特基二極管及其制備方法 發(fā)明專利 CN202010960821.5 CN112038396A 2020-12-04
    8 LED芯片結(jié)構(gòu) 實(shí)用新型 CN202020608785.1 CN211578783U 2020-09-25
    9 薄膜結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體器件光電隔離結(jié)構(gòu)及其制造方法 發(fā)明專利 CN201910142308.2 CN111613703A 2020-09-01
    10 一種MICROLED結(jié)構(gòu)及其制作方法 發(fā)明專利 CN201910141838.5 CN111613696A 2020-09-01

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