芯元基
上海芯元基半導體科技有限公司
存續(xù)商標信息1
序號 | 商標名稱 | 國際分類 | 注冊號 | 狀態(tài) | 申請日期 | 操作 |
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1 | TFFCOG | 09類-科學儀器 | 20560616 | 商標已注冊 | 2016-07-06 | 查看 |
專利信息49
序號 | 專利名稱 | 專利類型 | 申請?zhí)?/th> | 公開(公告)號 | 公布日期 |
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1 | 含Al氮化物半導體結構及器件 | 實用新型 | CN202022873594.0 | CN214043599U | 2021-08-24 |
2 | 氮化鎵半導體結構及其制備方法 | 發(fā)明專利 | CN202110549559.X | CN113299736A | 2021-08-24 |
3 | 垂直LED芯片結構及其制備方法 | 發(fā)明專利 | CN202110691417.7 | CN113284990A | 2021-08-20 |
4 | 含Al氮化物半導體結構、器件及制備方法 | 發(fā)明專利 | CN202011405574.9 | CN112490116A | 2021-03-12 |
5 | 氮化鎵肖特基二極管 | 實用新型 | CN202022001367.9 | CN212542440U | 2021-02-12 |
6 | 半導體器件結構、肖特基二極管 | 實用新型 | CN202020602776.1 | CN212084944U | 2020-12-04 |
7 | 氮化鎵肖特基二極管及其制備方法 | 發(fā)明專利 | CN202010960821.5 | CN112038396A | 2020-12-04 |
8 | LED芯片結構 | 實用新型 | CN202020608785.1 | CN211578783U | 2020-09-25 |
9 | 薄膜結構半導體器件光電隔離結構及其制造方法 | 發(fā)明專利 | CN201910142308.2 | CN111613703A | 2020-09-01 |
10 | 一種MICROLED結構及其制作方法 | 發(fā)明專利 | CN201910141838.5 | CN111613696A | 2020-09-01 |
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