飛虹微
商標(biāo)信息2
專(zhuān)利信息77
序號(hào) | 專(zhuān)利名稱(chēng) | 專(zhuān)利類(lèi)型 | 申請(qǐng)?zhí)?/th> | 公開(kāi)(公告)號(hào) | 公布日期 |
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1 | 940nm紅外LED的外延結(jié)構(gòu) | 實(shí)用新型 | CN202020705748.2 | CN212011015U | 2020-11-24 |
2 | 經(jīng)過(guò)粗化的AlGaAs基LED的制備方法及LED | 發(fā)明專(zhuān)利 | CN202010241001.0 | CN111430512A | 2020-07-17 |
3 | 940nm紅外LED的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法 | 發(fā)明專(zhuān)利 | CN202010219872.2 | CN111276582A | 2020-06-12 |
4 | U型GaN層的生長(zhǎng)方法、U型GaN層和半導(dǎo)體晶體管 | 發(fā)明專(zhuān)利 | CN201911357262.2 | CN111081535A | 2020-04-28 |
5 | 基于超晶格勢(shì)壘量子阱結(jié)構(gòu)的LED | 實(shí)用新型 | CN201920401418.1 | CN209461482U | 2019-10-01 |
6 | InGaN量子點(diǎn)發(fā)光二極管 | 實(shí)用新型 | CN201920401393.5 | CN209389055U | 2019-09-13 |
7 | 基于超晶格勢(shì)壘量子阱結(jié)構(gòu)的LED及其制備方法 | 發(fā)明專(zhuān)利 | CN201910235635.2 | CN109904289A | 2019-06-18 |
8 | InGaN量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法 | 發(fā)明專(zhuān)利 | CN201910235749.7 | CN109802021A | 2019-05-24 |
9 | 砷化鎵激光器腔面以及砷化鎵激光器 | 實(shí)用新型 | CN201721223021.5 | CN207801155U | 2018-08-31 |
10 | 砷化鎵激光巴條 | 實(shí)用新型 | CN201721537440.6 | CN207588214U | 2018-07-06 |
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