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    • 中博芯

    北京中博芯半導(dǎo)體科技有限公司

    存續(xù)
    • 地址：北京市順義區(qū)中關(guān)村科技園區(qū)順義園臨空二路1號
    • 簡介：-
    • 商標信息 3
    • 專利信息 11
    • 軟件著作權(quán) 0
    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 1

    商標信息3

    序號 商標名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 SINOGAN 09類-科學(xué)儀器 53178614 等待實質(zhì)審查 2021-01-21 查看
    2 中博芯 09類-科學(xué)儀器 53177859 等待實質(zhì)審查 2021-01-21 查看
    3 圖形 09類-科學(xué)儀器 53174274 初審公告 2021-01-21 查看

    專利信息11

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 一種抑制硅基氮化鎵射頻器件的射頻損耗的方法 發(fā)明專利 CN201910429057.6 CN110211867A 2019-09-06
    2 一種降低n型AlGaN系材料的接觸電阻的方法及其應(yīng)用 發(fā)明專利 CN201910209262.1 CN110021690B 2019-07-16
    3 一種降低n型AlGaN系材料的接觸電阻的方法及其應(yīng)用 發(fā)明專利 CN201910209262.1 CN110021690A 2019-07-16
    4 基于納米圖形硅襯底制備高質(zhì)量厚膜AlN的方法 發(fā)明專利 CN201810801132.2 CN109103070B 2018-12-28
    5 一種p型AlGaN外延薄膜及其制備方法和應(yīng)用 發(fā)明專利 CN201810373012.7 CN108767055B 2018-11-06
    6 一種p型AlGaN外延薄膜及其制備方法和應(yīng)用 發(fā)明專利 CN201810373012.7 CN108767055A 2018-11-06
    7 一種異質(zhì)襯底上GaN連續(xù)厚膜的外延生長方法 發(fā)明專利 CN201711400432.1 CN108172501A 2018-06-15
    8 用于檢測氮化鎵基異質(zhì)結(jié)構(gòu)中陷阱態(tài)的檢測方法和結(jié)構(gòu) 發(fā)明專利 CN201510921283.8 CN105466970B 2018-02-13
    9 一種硅上高遷移率GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)及其制備方法 發(fā)明專利 CN201510037027.2 CN104576714B 2017-11-07
    10 用于檢測氮化鎵基異質(zhì)結(jié)構(gòu)中陷阱態(tài)的檢測方法和結(jié)構(gòu) 發(fā)明專利 CN201510921283.8 CN105466970A 2016-04-06

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    作品著作權(quán)0

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    序號 網(wǎng)站名 網(wǎng)址 備案號 主辦單位性質(zhì) 審核日期
    1 北京中博芯半導(dǎo)體科技有限公司 www.semigan.com 京ICP備2021006150號 企業(yè) 2021-03-03
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