英諾賽科
商標信息4
專利信息34
序號 | 專利名稱 | 專利類型 | 申請?zhí)?/th> | 公開(公告)號 | 公布日期 |
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1 | 半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 發(fā)明專利 | CN202180000662.7 | CN112840464B | 2022-07-12 |
2 | 氮化物基功率因子校正電路及其實施方法 | 發(fā)明專利 | CN202280001236.X | CN114731109A | 2022-07-08 |
3 | 用于測量氮化物基開關(guān)裝置的動態(tài)導(dǎo)通電阻的設(shè)備和方法 | 發(fā)明專利 | CN202280001225.1 | CN114729958A | 2022-07-08 |
4 | 半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 發(fā)明專利 | CN202180000644.9 | CN112956018B | 2022-06-21 |
5 | 半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 發(fā)明專利 | CN202180000644.9 | CN112956018A | 2022-06-21 |
6 | III族氮基半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 發(fā)明專利 | CN202180000921.6 | CN113169150B | 2022-06-14 |
7 | 集成半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 發(fā)明專利 | CN202210214915.7 | CN114597173A | 2022-06-07 |
8 | 氮基雙向開關(guān)器件及其制造方法 | 發(fā)明專利 | CN202180004475.6 | CN114586176A | 2022-06-03 |
9 | 集成半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 發(fā)明專利 | CN202180004425.8 | CN114127914A | 2022-03-01 |
10 | 半導(dǎo)體器件 | 發(fā)明專利 | CN202110123134.2 | CN112951909B | 2022-02-15 |
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