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    • 威兆

    深圳市威兆半導體股份有限公司

    存續(xù)
    • 地址：深圳市南山區(qū)桃源街道福光社區(qū)留仙大道3370號南山智園崇文園區(qū)3號樓1301
    • 簡介：-
    • 商標信息 56
    • 專利信息 66
    • 軟件著作權 1
    • 作品著作權 0
    • 網(wǎng)站備案 3

    商標信息56

    序號 商標名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 圖形 - 63360415 等待實質(zhì)審查 2022-03-18 查看
    2 VGSEMI - 62402492 等待實質(zhì)審查 2022-01-26 查看
    3 VERGIGA SEMICONDUCTOR - 62169758 等待實質(zhì)審查 2022-01-14 查看
    4 威兆半導體 VERGIGA SEMICONDUCTOR - 62169430 等待實質(zhì)審查 2022-01-14 查看
    5 圖形 - 62167923 等待實質(zhì)審查 2022-01-14 查看
    6 VERGIGA - 62165997 初審公告 2022-01-14 查看
    7 VERGIGA - 62159188 等待實質(zhì)審查 2022-01-14 查看
    8 VERGIGA SEMICONDUCTOR - 62156250 等待實質(zhì)審查 2022-01-14 查看
    9 VERGIGA - 62152994 初審公告 2022-01-14 查看
    10 威兆半導體 VERGIGA SEMICONDUCTOR - 62152965 等待實質(zhì)審查 2022-01-14 查看

    專利信息66

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 一種IGBT器件及其制造方法 發(fā)明專利 CN202210327695.9 CN114420561B 2022-07-15
    2 槽柵超結VDMOS器件、芯片及終端設備 發(fā)明專利 CN202110581224.6 CN113327984B 2022-07-12
    3 一種雙溝道MOSFET器件及其制造方法 發(fā)明專利 CN202210631851.0 CN114709258A 2022-07-05
    4 一種半導體器件、終端結構及其制造方法 發(fā)明專利 CN202210227409.1 CN114335154B 2022-07-01
    5 一種帶溫度采樣功能的屏蔽柵器件 發(fā)明專利 CN202210403811.0 CN114496995B 2022-06-17
    6 一種改善短路特性的碳化硅MOS器件 發(fā)明專利 CN202210502977.8 CN114613849A 2022-06-10
    7 一種超結MOSFET器件的仿真方法及仿真模型結構 發(fā)明專利 CN202210485117.8 CN114580332A 2022-06-03
    8 一種IGBT器件及其制造方法 發(fā)明專利 CN202210062869.3 CN114093934B 2022-05-20
    9 一種帶溫度采樣功能的屏蔽柵器件 發(fā)明專利 CN202210403811.0 CN114496995A 2022-05-13
    10 一種IGBT器件及其制造方法 發(fā)明專利 CN202210327695.9 CN114420561A 2022-04-29

    軟件著作權1

    序號 軟件名稱 軟件簡稱 版本號 登記號 分類號 首次發(fā)表日期 登記批準日期
    1 威兆半導體器件選型系統(tǒng) - V1.0 2019SR1336946 - 2019-09-20 2019-12-11

    作品著作權0

    暫無信息 暫無作品著作權

    網(wǎng)站備案3

    序號 網(wǎng)站名 網(wǎng)址 備案號 主辦單位性質(zhì) 審核日期
    1 - - 粵ICP備19063980號 企業(yè) 2022-03-31
    2 威兆半導體有限公司 www.vgsemi.com 粵ICP備19063980號 企業(yè) 2020-06-19
    3 - www.vgsemi.com 粵ICP備19063980號 企業(yè) 2020-06-19
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