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    • 華燦光電

    華燦光電（浙江）有限公司

    存續(xù)
    • 地址：浙江省義烏市蘇溪鎮(zhèn)蘇福路233號（自主申報(bào)）
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    • 商標(biāo)信息 0
    • 專利信息 894
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    專利信息894

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 氮化鎵基發(fā)光二極管外延片及其制備方法 發(fā)明專利 CN202110558491.1 CN113517381A 2021-10-19
    2 增強(qiáng)側(cè)面光強(qiáng)的發(fā)光二極管芯片及其制造方法 發(fā)明專利 CN202110540609.8 CN113517378A 2021-10-19
    3 倒裝發(fā)光二極管芯片及其制備方法 發(fā)明專利 CN202110518546.6 CN113488568A 2021-10-08
    4 具有復(fù)合過渡層的發(fā)光二極管外延片及其制備方法 發(fā)明專利 CN202110520704.1 CN113488567A 2021-10-08
    5 具有AlN的發(fā)光二極管外延片的制備方法 發(fā)明專利 CN202110529500.4 CN113481593A 2021-10-08
    6 紅光發(fā)光二極管芯片及其制作方法 發(fā)明專利 CN202011061527.7 CN112366262B 2021-10-08
    7 發(fā)光二極管外延片及其制備方法 發(fā)明專利 CN202011061541.7 CN112366259B 2021-10-08
    8 微型發(fā)光二極管外延片的制備方法 發(fā)明專利 CN202010936345.3 CN112259646B 2021-10-08
    9 微型發(fā)光二極管外延片的制備方法 發(fā)明專利 CN202010936345.3 CN112259646A 2021-10-08
    10 發(fā)光二極管芯片及其制作方法 發(fā)明專利 CN202010872056.1 CN112216782B 2021-10-08

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