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    • 燕園中鎵

    北京燕園中鎵半導體工程研發(fā)中心有限公司

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    • 地址：北京市海淀區(qū)上地信息產業(yè)基地三街1號樓四層C段428
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    • 專利信息 14
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    專利信息14

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 無翹曲Ⅲ族氮化物復合襯底的制備方法和襯底放置裝置 發(fā)明專利 CN201510023297.8 CN105845798B 2018-10-19
    2 一種基于GaN厚膜的垂直結構LED芯片的制備方法 發(fā)明專利 CN201510349047.3 CN105023984B 2018-06-08
    3 一種基于銀基金屬鍵合的薄膜結構LED芯片及其制備方法 發(fā)明專利 CN201510438112.X CN105047788B 2017-12-01
    4 無翹曲Ⅲ族氮化物復合襯底的制備方法和襯底放置裝置 發(fā)明專利 CN201510023297.8 CN105845798A 2016-08-10
    5 GaN基脊型激光二極管的制備方法 發(fā)明專利 CN201310665266.3 CN103618212B 2016-03-30
    6 一種基于銀基金屬鍵合的薄膜結構LED芯片及其制備方法 發(fā)明專利 CN201510438112.X CN105047788A 2015-11-11
    7 一種基于GaN厚膜的垂直結構LED芯片及其制備方法 發(fā)明專利 CN201510349047.3 CN105023984A 2015-11-04
    8 基于原位應力控制的III族氮化物厚膜自分離方法 發(fā)明專利 CN201210256655.6 CN102817074B 2015-09-30
    9 GaN基脊型激光二極管的制備方法 發(fā)明專利 CN201310665266.3 CN103618212A 2014-03-05
    10 一種發(fā)光二極管的制備方法 發(fā)明專利 CN201110196359.7 CN102244162B 2013-03-13

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