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    • 華芯威

    華芯威半導(dǎo)體科技（北京）有限責(zé)任公司

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    • 地址：北京市北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)科創(chuàng)十三街29號(hào)院一區(qū)2號(hào)樓13層1302-36(北京自貿(mào)試驗(yàn)區(qū)高端產(chǎn)業(yè)片區(qū)亦莊組團(tuán))
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    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 2

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    專利信息28

    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開（公告）號(hào) 公布日期
    1 一種碳化硅半導(dǎo)體封裝檢測(cè)裝置 實(shí)用新型 CN202022709830.5 CN213816071U 2021-07-27
    2 一種高精度壓力傳感器的硅芯片工藝方法 發(fā)明專利 CN202011631013.0 CN112834083A 2021-05-25
    3 一種用于碳化硅檢測(cè)的防護(hù)裝置 實(shí)用新型 CN202022673116.5 CN213212115U 2021-05-14
    4 一種高精度γ射線傳感器的硅芯片工藝方法 發(fā)明專利 CN202011631036.1 CN112786733A 2021-05-11
    5 一種功率模塊用引線端子 發(fā)明專利 CN202011631012.6 CN112768976A 2021-05-07
    6 一種引線框架及采用該引線框架的功率模塊和制造方法 發(fā)明專利 CN202011628486.5 CN112736058A 2021-04-30
    7 一種疊層引線端子及采用該引線端子的功率模塊 發(fā)明專利 CN202011628469.1 CN112670263A 2021-04-16
    8 一種改善SiC功率器件封裝熱均勻性的封裝結(jié)構(gòu) 發(fā)明專利 CN202011628481.2 CN112670254A 2021-04-16
    9 一種側(cè)墻肖特基接觸的碳化硅溝槽SBD器件元胞結(jié)構(gòu) 實(shí)用新型 CN202022448627.7 CN212967715U 2021-04-13
    10 具有溝槽自對(duì)準(zhǔn)PPlus掩蔽埋層的碳化硅SBD器件元胞結(jié)構(gòu) 實(shí)用新型 CN202022443064.2 CN212967714U 2021-04-13

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    作品著作權(quán)0

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    網(wǎng)站備案2

    序號(hào) 網(wǎng)站名 網(wǎng)址 備案號(hào) 主辦單位性質(zhì) 審核日期
    1 華芯威半導(dǎo)體科技（北京）有限責(zé)任公司 www.hxinwei.com 京ICP備19045319號(hào) 企業(yè) 2019-10-11
    2 華芯威半導(dǎo)體科技（北京）有限責(zé)任公司 www.hxinwei.com 京ICP備19045319號(hào) 企業(yè) 2019-10-11
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