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    • 賽晶電子

    杭州賽晶電子有限公司

    存續(xù)
    • 官網(wǎng)：-
    • 地址：蕭山區(qū)靖江街道和順村黎明社區(qū)
    • 簡介：-
    • 商標(biāo)信息 2
    • 專利信息 11
    • 軟件著作權(quán) 4
    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 0

    商標(biāo)信息2

    序號 商標(biāo)名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 賽晶 09類-科學(xué)儀器 62856842 等待實質(zhì)審查 2022-02-25 查看
    2 賽晶 09類-科學(xué)儀器 40188213 商標(biāo)已注冊 2019-08-07 查看

    專利信息11

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 一種P型雜質(zhì)擴(kuò)散結(jié)屏蔽柵硅二極管的制造方法 發(fā)明專利 CN202111474738.8 CN114171605A 2022-03-11
    2 異型雜質(zhì)擴(kuò)散對接的P+N+型低壓硅擴(kuò)散片及其硅二極管 發(fā)明專利 CN201811087458.X CN109216471A 2019-01-15
    3 一種去本征區(qū)P+N+型低壓硅擴(kuò)散片、硅二極管及其制備方法 發(fā)明專利 CN201710108976.4 CN106653865B 2018-11-09
    4 一種錐形槽面硅二極管及其芯片 實用新型 CN201721806336.2 CN207572371U 2018-07-03
    5 切槽蝕刻錐形正臺面硅芯及硅二極管的制備方法 發(fā)明專利 CN201711395393.0 CN108122755B 2018-06-05
    6 切槽蝕刻錐形正臺面硅芯及硅二極管的制備方法 發(fā)明專利 CN201711395393.0 CN108122755A 2018-06-05
    7 一種N+PN?PN+型正反向過壓保護(hù)硅二極管及其硅芯 實用新型 CN201720180300.1 CN206524335U 2017-09-26
    8 一種去本征區(qū)P+N+型低壓硅擴(kuò)散片、硅二極管及其制備方法 發(fā)明專利 CN201710108976.4 CN106653865A 2017-05-10
    9 一種N+PN?PN+型正反向過壓保護(hù)硅二極管及其硅芯和制造方法 發(fā)明專利 CN201710108967.5 CN106653864A 2017-05-10
    10 一種U型蝕刻直角臺面硅二極管及其硅芯和硅擴(kuò)散晶圓片 實用新型 CN201620601264.7 CN205692839U 2016-11-16

    軟件著作權(quán)4

    序號 軟件名稱 軟件簡稱 版本號 登記號 分類號 首次發(fā)表日期 登記批準(zhǔn)日期
    1 雙極型擴(kuò)散拋光片ANT07 BJT13007產(chǎn)品PPAP認(rèn)證系統(tǒng) - V1.0 2020SR1618878 - - 2020-11-20
    2 片式二極管芯片生產(chǎn)批號ACCESS管理系統(tǒng) - V1.0 2018SR555422 30200-0000 2018-02-12 2018-07-16
    3 片式二極管擴(kuò)散片生產(chǎn)MES制造管理系統(tǒng) - V1.0 2018SR555417 30200-0000 2017-12-25 2018-07-16
    4 雙極擴(kuò)散拋光片擴(kuò)散濃度SPC控制系統(tǒng) - V1.0 2018SR553948 10100-0000 2018-04-23 2018-07-16

    作品著作權(quán)0

    暫無信息 暫無作品著作權(quán)

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