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    • 巨晶新

    江蘇巨晶新材料科技有限公司

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    • 地址：常州市金壇區(qū)朱林鎮(zhèn)金西工業(yè)園龍溪大道99號
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    專利信息13

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 一種基于銅襯底的氮化物L(fēng)ED垂直芯片及其制備方法 發(fā)明專利 CN201410814716.5 CN104576862B 2017-08-25
    2 一種制作氮化物外延層、襯底與器件晶圓的方法 發(fā)明專利 CN201410654422.0 CN104409593B 2017-08-22
    3 一種基于銅襯底的氮化物L(fēng)ED外延片結(jié)構(gòu)及其制備方法 發(fā)明專利 CN201410814791.1 CN104538526B 2017-05-24
    4 一種使用復(fù)合襯底的氮化物L(fēng)ED外延片結(jié)構(gòu)及其制備方法 發(fā)明專利 CN201510041269.9 CN104638071B 2017-03-15
    5 一種使用SiC襯底的氮化物L(fēng)ED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法 發(fā)明專利 CN201410666107.X CN104393128B 2017-03-15
    6 發(fā)光二極管、發(fā)光二極管模塊及其制作方法 發(fā)明專利 CN201410566811.8 CN105895758A 2016-08-24
    7 一種使用復(fù)合襯底的氮化物L(fēng)ED外延片結(jié)構(gòu)及其制備方法 發(fā)明專利 CN201510041269.9 CN104638071A 2015-05-20
    8 一種氮化物L(fēng)ED垂直芯片結(jié)構(gòu)及其制備方法 發(fā)明專利 CN201510041265.0 CN104637794A 2015-05-20
    9 一種基于銅襯底的氮化物L(fēng)ED垂直芯片及其制備方法 發(fā)明專利 CN201410814716.5 CN104576862A 2015-04-29
    10 一種基于銅襯底的氮化物L(fēng)ED外延片結(jié)構(gòu)及其制備方法 發(fā)明專利 CN201410814791.1 CN104538526A 2015-04-22

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