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    • 杭鑫電子

    杭州杭鑫電子工業(yè)有限公司

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    • 地址：杭州市高新區(qū)之江科技工業(yè)園軟件園7號樓
    • 簡介：-
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    • 專利信息 22
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    • 作品著作權(quán) 0
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    商標(biāo)信息2

    序號 商標(biāo)名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 杭鑫 09類-科學(xué)儀器 3947438 商標(biāo)已注冊 2004-03-09 查看
    2 HANG XIN;H 09類-科學(xué)儀器 3947437 商標(biāo)已注冊 2004-03-09 查看

    專利信息22

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 一種兼容集成制造硅晶體二極管三極管的方法 發(fā)明專利 CN201210383748.5 CN102915967A 2013-02-06
    2 一種抗電浪涌低壓保護(hù)硅二極管及其制備方法 發(fā)明專利 CN201110116537.0 CN102194894B 2013-01-02
    3 一種P+、N+型雜質(zhì)雙擴(kuò)散制造硅二極管的方法 發(fā)明專利 CN201210113286.5 CN102646586A 2012-08-22
    4 一種集成齊納管和整流管的雙二極管及其制備方法 發(fā)明專利 CN201010589395.5 CN102117806B 2012-07-04
    5 一種多重金屬擴(kuò)散快恢復(fù)二極管及其制備方法 發(fā)明專利 CN201010589316.0 CN102117840B 2012-04-25
    6 一種抗電浪涌低壓保護(hù)硅二極管及其制備方法 發(fā)明專利 CN201110116537.0 CN102194894A 2011-09-21
    7 一種多重金屬擴(kuò)散快恢復(fù)二極管及其制備方法 發(fā)明專利 CN201010589316.0 CN102117840A 2011-07-06
    8 一種集成齊納管和整流管的雙二極管及其制備方法 發(fā)明專利 CN201010589395.5 CN102117806A 2011-07-06
    9 一種硅單晶片制造開放PN結(jié)快恢復(fù)整流二極管的方法 發(fā)明專利 CN200810122087.4 CN101404254B 2011-05-18
    10 一種硅單晶薄片氧化單面預(yù)擴(kuò)散制造晶體管的方法 發(fā)明專利 CN200810121643.6 CN101383284B 2010-11-03

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