同方光電
同方光電科技有限公司
存續(xù)商標(biāo)信息0
專利信息62
序號(hào) | 專利名稱 | 專利類型 | 申請(qǐng)?zhí)?/th> | 公開(kāi)(公告)號(hào) | 公布日期 |
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1 | 一種提高發(fā)射補(bǔ)償測(cè)溫準(zhǔn)確性或一致性的襯底加工方法 | 發(fā)明專利 | CN201210462738.0 | CN103824903B | 2017-04-12 |
2 | 一種提高氮化物L(fēng)ED外延片發(fā)射波長(zhǎng)均勻性的生長(zhǎng)方法 | 發(fā)明專利 | CN201310023732.8 | CN103943731B | 2017-03-15 |
3 | 一種倒裝結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管及其制備方法 | 發(fā)明專利 | CN201210273949.X | CN103579447B | 2016-12-21 |
4 | 一種用于發(fā)光二極管襯底剝離的裝置 | 發(fā)明專利 | CN201110091809.6 | CN102738314B | 2014-12-03 |
5 | 一種垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管的制備方法 | 發(fā)明專利 | CN201110074979.3 | CN102709427B | 2014-12-03 |
6 | 一種用于發(fā)光二極管的透明導(dǎo)電薄膜 | 發(fā)明專利 | CN201310023731.3 | CN103943749A | 2014-07-23 |
7 | 一種能提高LED光效的芯片加工方法 | 發(fā)明專利 | CN201310023352.4 | CN103943744A | 2014-07-23 |
8 | 一種提高氮化物L(fēng)ED外延片發(fā)射波長(zhǎng)均勻性的生長(zhǎng)方法 | 發(fā)明專利 | CN201310023732.8 | CN103943731A | 2014-07-23 |
9 | 一種適用于發(fā)光二極管的剝離方法 | 發(fā)明專利 | CN201310023478.1 | CN103943730A | 2014-07-23 |
10 | 一種適用于大電流驅(qū)動(dòng)的氮化物L(fēng)ED外延結(jié)構(gòu) | 發(fā)明專利 | CN201210508820.2 | CN103855262A | 2014-06-11 |
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