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    • 英特爾

    英特爾半導(dǎo)體（大連）有限公司

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    專利信息19

    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開(kāi)（公告）號(hào) 公布日期
    1 晶圓拋光的拋光壓力控制方法、裝置和設(shè)備 發(fā)明專利 CN201910500512.7 CN110193776B 2020-07-03
    2 用于存儲(chǔ)器的溝道柱及其制造方法 發(fā)明專利 CN201910531021.9 CN110176459B 2020-07-03
    3 用于在晶圓沉積薄膜的設(shè)備 發(fā)明專利 CN201910582370.3 CN110246788B 2020-05-19
    4 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 實(shí)用新型 CN201920994978.2 CN210458364U 2020-05-05
    5 用于監(jiān)控生產(chǎn)設(shè)備的運(yùn)行的方法、裝置和系統(tǒng) 發(fā)明專利 CN201910554924.9 CN110244677B 2020-03-20
    6 用于半導(dǎo)體制造設(shè)備的氣體管路控制裝置 發(fā)明專利 CN201910560512.6 CN110289231B 2019-09-27
    7 用于半導(dǎo)體制造設(shè)備的氣體管路控制裝置 發(fā)明專利 CN201910560512.6 CN110289231A 2019-09-27
    8 一種3DNAND存儲(chǔ)單元模組、存儲(chǔ)器以及制作方法 發(fā)明專利 CN201910560500.3 CN110277396B 2019-09-24
    9 一種3D NAND存儲(chǔ)單元模組、存儲(chǔ)器以及制作方法 發(fā)明專利 CN201910560500.3 CN110277396A 2019-09-24
    10 增強(qiáng)半導(dǎo)體蝕刻能力的方法 發(fā)明專利 CN201910567610.2 CN110265290B 2019-09-20

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