中科渝芯
商標信息3
專利信息95
序號 | 專利名稱 | 專利類型 | 申請?zhí)?/th> | 公開(公告)號 | 公布日期 |
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1 | 低位錯密度高可靠性高低壓CMOS自對準雙阱工藝方法及器件 | 發(fā)明專利 | CN202110591089.3 | CN113380799A | 2021-09-10 |
2 | 一種集成整流器的平面MOSFET及其制造方法 | 發(fā)明專利 | CN202110336377.4 | CN113257917A | 2021-08-13 |
3 | 一種集成整流器的平面場效應晶體管及其制造方法 | 發(fā)明專利 | CN202110336367.0 | CN113257916A | 2021-08-13 |
4 | 一種用ICP干法刻蝕制作薄膜電阻的方法 | 發(fā)明專利 | CN201710767049.3 | CN107742607B | 2021-05-11 |
5 | 一種用于集成電路晶圓級封裝的重構(gòu)方法 | 發(fā)明專利 | CN201910823826.0 | CN110473792B | 2021-04-02 |
6 | 一種高速低損耗的多槽柵高壓功率器件 | 發(fā)明專利 | CN201910805724.6 | CN110504308B | 2021-03-30 |
7 | 反偏型硅發(fā)光SOI光電隔離器、其集成電路及制作方法 | 發(fā)明專利 | CN201910823544.0 | CN110491967B | 2021-03-02 |
8 | 一種基于BiCMOS工藝的硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制造方法 | 發(fā)明專利 | CN202010884582.X | CN112071757A | 2020-12-11 |
9 | 一種多晶自摻雜平滑頂柵JFET器件及其制造方法 | 發(fā)明專利 | CN202010582154.1 | CN111933694A | 2020-11-13 |
10 | 與雙柵氧高低壓CMOS工藝兼容提高器件穩(wěn)定性的π型柵多晶及其制作方法 | 發(fā)明專利 | CN202010635339.4 | CN111799224A | 2020-10-20 |
軟件著作權(quán)0
作品著作權(quán)0
網(wǎng)站備案6
序號 | 網(wǎng)站名 | 網(wǎng)址 | 備案號 | 主辦單位性質(zhì) | 審核日期 |
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1 | 重慶中科渝芯電子有限公司 | www.semi-chip.com | 渝ICP備10200975號 | 企業(yè) | 2021-04-21 |
2 | 重慶中科渝芯電子有限公司 | www.analogfoundries.com | 渝ICP備10200975號 | 企業(yè) | 2021-04-21 |
3 | 重慶中科渝芯電子有限公司 | www.semi-chip.com | 渝ICP備10200975號 | 企業(yè) | 2021-04-21 |
4 | 重慶中科渝芯電子有限公司 | www.analogfoundries.com | 渝ICP備10200975號 | 企業(yè) | 2021-04-21 |
5 | 重慶中科渝芯電子有限公司 | www.semi-chip.com | 渝ICP備10200975號 | 企業(yè) | 2018-10-12 |
6 | 重慶中科渝芯電子有限公司 | www.analogfoundries.com | 渝ICP備10200975號 | 企業(yè) | 2018-10-12 |
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