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    • 尚積

    無錫尚積半導(dǎo)體科技有限公司

    存續(xù)
    • 官網(wǎng)：-
    • 地址：無錫市新吳區(qū)長江南路35-312號廠房
    • 簡介：-
    • 商標(biāo)信息 5
    • 專利信息 13
    • 軟件著作權(quán) 2
    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 1

    商標(biāo)信息5

    序號 商標(biāo)名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 DEPOMERITS 42類-網(wǎng)站服務(wù) 58790812 商標(biāo)已注冊 2021-08-26 查看
    2 DEPOMERITS 35類-廣告銷售 58788193 商標(biāo)已注冊 2021-08-26 查看
    3 DEPOMERITS 09類-科學(xué)儀器 58774832 商標(biāo)已注冊 2021-08-26 查看
    4 PLASMERITS 09類-科學(xué)儀器 58631804 初審公告 2021-08-20 查看
    5 SJI-SEMI 09類-科學(xué)儀器 57721112 商標(biāo)已注冊 2021-07-15 查看

    專利信息13

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 一種提高金屬膜沉積臺階覆蓋率的裝置 發(fā)明專利 CN202210426440.8 CN114645245A 2022-06-21
    2 一種晶圓的檢測方法、濺射設(shè)備及計算機可讀存儲介質(zhì) 發(fā)明專利 CN202210085641.6 CN114496853A 2022-05-13
    3 一種用于晶圓的膠刻蝕方法 發(fā)明專利 CN202210026734.1 CN114496777A 2022-05-13
    4 一種提高氧化釩沉積均勻度的載片臺 實用新型 CN202122806544.5 CN216378351U 2022-04-26
    5 一種提升氧化釩刻蝕形貌的工藝方法 發(fā)明專利 CN202111205628.1 CN113948400A 2022-01-18
    6 一種解決磁控濺射生長氧化釩薄膜顆粒的工藝方法 發(fā)明專利 CN202111204291.2 CN113930741A 2022-01-14
    7 一種改善氧化釩膜厚均勻性的氣相沉積設(shè)備及其氣相沉積方法 發(fā)明專利 CN202111205625.8 CN113930735A 2022-01-14
    8 一種全遮擋屏蔽式氧化釩磁控濺射方法及其設(shè)備 發(fā)明專利 CN202111205635.1 CN113930724A 2022-01-14
    9 一種材料處理方法及設(shè)備 發(fā)明專利 CN202111074839.6 CN113862626A 2021-12-31
    10 一種物理氣相沉積源的移動裝置及物理氣相沉積裝置 發(fā)明專利 CN202111080316.2 CN113846293A 2021-12-28

    軟件著作權(quán)2

    序號 軟件名稱 軟件簡稱 版本號 登記號 分類號 首次發(fā)表日期 登記批準(zhǔn)日期
    1 松尚VOx薄膜濺射氧氣控制系統(tǒng)軟件 Vox控制系統(tǒng) V1.0 2021SR1967977 - - 2021-12-01
    2 松尚CENTURA PVD機臺LOADLOCK腔室冷泵改分子泵真空控制系統(tǒng) - V1.0 2021SR1967976 - - 2021-12-01

    作品著作權(quán)0

    暫無信息 暫無作品著作權(quán)

    網(wǎng)站備案1

    序號 網(wǎng)站名 網(wǎng)址 備案號 主辦單位性質(zhì) 審核日期
    1 - - 蘇ICP備2022013598號 企業(yè) 2022-04-12
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