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    • 芯邁

    杭州芯邁半導體技術(shù)有限公司

    存續(xù)
    • 官網(wǎng)：-
    • 地址：浙江省杭州市濱江區(qū)西興街道聯(lián)慧街6號1-1201
    • 簡介：-
    • 商標信息 28
    • 專利信息 49
    • 軟件著作權(quán) 0
    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 0

    商標信息28

    序號 商標名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 SILICON MAGIC - 63811693 等待實質(zhì)審查 2022-04-07 查看
    2 SILICON MAGIC - 63811653 等待實質(zhì)審查 2022-04-07 查看
    3 SILICON MAGIC - 63806322 等待實質(zhì)審查 2022-04-07 查看
    4 圖形 - 62996048 等待實質(zhì)審查 2022-03-03 查看
    5 圖形 - 62984032 等待實質(zhì)審查 2022-03-03 查看
    6 圖形 - 62978184 等待駁回復審 2022-03-02 查看
    7 圖形 - 62952477 等待實質(zhì)審查 2022-03-02 查看
    8 芯邁半導體 - 60797136 初審公告 2021-11-22 查看
    9 SILICON MAGIC - 60793453 駁回復審中 2021-11-22 查看
    10 芯邁 - 60774956 初審公告 2021-11-22 查看

    專利信息49

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 分離柵MOSFET及其制造方法 發(fā)明專利 CN202111635879.3 CN114678276A 2022-06-28
    2 分離柵MOSFET及其制造方法 發(fā)明專利 CN202111635852.4 CN114678275A 2022-06-28
    3 溝槽型功率器件及其制造方法 發(fā)明專利 CN202111652594.0 CN114512545A 2022-05-17
    4 一種碳化硅MOSFET器件及其制造方法 發(fā)明專利 CN202210155406.1 CN114496801A 2022-05-13
    5 一種制造溝槽MOSFET的方法 發(fā)明專利 CN202210380606.7 CN114496762A 2022-05-13
    6 溝槽型功率器件的制造方法 發(fā)明專利 CN202111648832.0 CN114429906A 2022-05-03
    7 碳化硅功率半導體器件結(jié)構(gòu) 發(fā)明專利 CN202111197940.0 CN114203820A 2022-03-18
    8 提升耐壓工藝窗口的超結(jié)器件 發(fā)明專利 CN202111487782.2 CN113889525B 2022-03-18
    9 金屬氧化物半導體器件與其制作方法 發(fā)明專利 CN202111427488.2 CN114171577A 2022-03-11
    10 分離柵功率MOS器件及其制造方法 發(fā)明專利 CN202110975073.2 CN114156183A 2022-03-08

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