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    • 科天潤(rùn)

    泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技（北京）有限公司

    存續(xù)
    • 地址：北京市順義區(qū)中關(guān)村科技園區(qū)順義園臨空二路1號(hào)
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    • 商標(biāo)信息 8
    • 專利信息 84
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    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 2

    商標(biāo)信息8

    序號(hào) 商標(biāo)名稱 國(guó)際分類 注冊(cè)號(hào) 狀態(tài) 申請(qǐng)日期 操作
    1 圖形 09類-科學(xué)儀器 47483399 商標(biāo)已注冊(cè) 2020-06-22 查看
    2 泰科天潤(rùn) 09類-科學(xué)儀器 47457263 商標(biāo)已注冊(cè) 2020-06-22 查看
    3 泰科天潤(rùn) 35類-廣告銷售 37414268 商標(biāo)已注冊(cè) 2019-04-10 查看
    4 GLOBAL POWER TECHNOLOGY 35類-廣告銷售 37414263 商標(biāo)無(wú)效 2019-04-10 查看
    5 圖形 35類-廣告銷售 37411102 商標(biāo)無(wú)效 2019-04-10 查看
    6 圖形 09類-科學(xué)儀器 10937491 商標(biāo)已注冊(cè) 2012-05-18 查看
    7 GLOBAL POWER TECHNOLOGY 09類-科學(xué)儀器 10937473 商標(biāo)無(wú)效 2012-05-18 查看
    8 泰科天潤(rùn) 09類-科學(xué)儀器 10937445 商標(biāo)已注冊(cè) 2012-05-18 查看

    專利信息84

    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開（公告）號(hào) 公布日期
    1 一種三柵SiCJFET橫向器件 實(shí)用新型 CN202120317459.X CN214378461U 2021-10-08
    2 一種帶屏蔽區(qū)的非對(duì)稱碳化硅UMOSFET器件 實(shí)用新型 CN202120364635.5 CN214378460U 2021-10-08
    3 一種集成SBD的碳化硅UMOSFET器件 實(shí)用新型 CN202120357500.6 CN214378459U 2021-10-08
    4 一種低閾值電壓SiC圓形柵VDMOSFET功率器件 實(shí)用新型 CN202120317492.2 CN214378458U 2021-10-08
    5 一種MOSFET柵源電壓響應(yīng)高頻脈沖干擾的方法 發(fā)明專利 CN202011102502.7 CN112434401B 2021-10-08
    6 一種圓形柵功率器件的自對(duì)準(zhǔn)p型制造方法 發(fā)明專利 CN202110733465.8 CN113436976A 2021-09-24
    7 一種具有埋層結(jié)構(gòu)的深層肖特基功率器件及其制備方法 發(fā)明專利 CN202110613801.5 CN113394292A 2021-09-14
    8 雙柵型功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其驅(qū)動(dòng)電路 實(shí)用新型 CN202023183144.5 CN214152896U 2021-09-07
    9 一種MOSFET柵極負(fù)反饋有源驅(qū)動(dòng)電路 實(shí)用新型 CN202022294764.X CN214125140U 2021-09-03
    10 一種三柵SiC JFET橫向器件 發(fā)明專利 CN202110171334.5 CN113161425A 2021-07-23

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    作品著作權(quán)0

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    網(wǎng)站備案2

    序號(hào) 網(wǎng)站名 網(wǎng)址 備案號(hào) 主辦單位性質(zhì) 審核日期
    1 泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技（北京）有限公司 www.globalpowertech.cn 京ICP備12009206號(hào) 企業(yè) 2019-10-09
    2 泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技（北京）有限公司 www.globalpowertech.cn 京ICP備12009206號(hào) 企業(yè) 2019-10-09
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