國聯(lián)萬眾
商標信息4
專利信息56
序號 | 專利名稱 | 專利類型 | 申請?zhí)?/th> | 公開(公告)號 | 公布日期 |
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1 | 碳化硅高溫退火表面保護的制作方法及碳化硅功率器件 | 發(fā)明專利 | CN201811391524.2 | CN109494150B | 2021-06-08 |
2 | 碳化硅高溫退火表面保護的制作方法及碳化硅功率器件 | 發(fā)明專利 | CN201811391524.2 | CN109494150A | 2021-06-08 |
3 | 毫米波單片集成電路封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法 | 發(fā)明專利 | CN202011572853.4 | CN112701092A | 2021-04-23 |
4 | 隱藏式殺菌筆 | 實用新型 | CN202021300331.4 | CN212995067U | 2021-04-20 |
5 | 帶有彎曲beam的單片集成電路及其制備方法 | 發(fā)明專利 | CN202011553984.8 | CN112670261A | 2021-04-16 |
6 | 集成探針的毫米波單片集成電路模塊及其制備方法 | 發(fā)明專利 | CN202011553640.7 | CN112670260A | 2021-04-16 |
7 | 一種碳化硅器件的離子注入方法 | 發(fā)明專利 | CN201811391500.7 | CN109473345B | 2021-01-15 |
8 | 毫米波芯片制作方法 | 發(fā)明專利 | CN202011042039.1 | CN112133666A | 2020-12-25 |
9 | 毫米波單片一體化設(shè)計方法 | 發(fā)明專利 | CN202011040265.6 | CN112131817A | 2020-12-25 |
10 | 新型太赫茲單片的實現(xiàn)方法 | 發(fā)明專利 | CN202010730556.1 | CN111900086A | 2020-11-06 |
軟件著作權(quán)0
作品著作權(quán)0
網(wǎng)站備案2
序號 | 網(wǎng)站名 | 網(wǎng)址 | 備案號 | 主辦單位性質(zhì) | 審核日期 |
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1 | 北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司 | www.asi-base.com | 京ICP備15055473號 | 企業(yè) | 2019-04-28 |
2 | 北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司 | www.asi-base.com | 京ICP備15055473號 | 企業(yè) | 2019-04-28 |
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