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    • 華瑞微

    南京華瑞微集成電路有限公司

    存續(xù)
    • 地址：南京市浦口區(qū)江浦街道浦濱大道88號(hào)
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    • 商標(biāo)信息 3
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    商標(biāo)信息3

    序號(hào) 商標(biāo)名稱 國(guó)際分類 注冊(cè)號(hào) 狀態(tài) 申請(qǐng)日期 操作
    1 華瑞微 - 41193000 商標(biāo)已注冊(cè) 2019-09-20 查看
    2 圖形 - 31955097 商標(biāo)已注冊(cè) 2018-07-02 查看
    3 圖形 - 31946028 商標(biāo)已注冊(cè) 2018-07-02 查看

    專利信息43

    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開(kāi)（公告）號(hào) 公布日期
    1 一種半導(dǎo)體器件及其制作方法、高精度過(guò)溫保護(hù)電路 發(fā)明專利 CN202210419414.2 CN114520144A 2022-05-20
    2 一種超結(jié)和SGT新型復(fù)合MOSFET及其制造方法 發(fā)明專利 CN202111496386.6 CN113921401B 2022-03-22
    3 一種通過(guò)多晶硅條提高可靠性的MOS器件及其制造方法 發(fā)明專利 CN202111400657.3 CN114141859A 2022-03-04
    4 一種提高BV穩(wěn)定性的SGT終端結(jié)構(gòu)及其制備方法 發(fā)明專利 CN202210030400.1 CN114068331A 2022-02-18
    5 一種抗電磁干擾超結(jié)MOS器件及其制造方法 發(fā)明專利 CN202111365409.X CN113808951B 2022-02-11
    6 一種集成源漏電容的超結(jié)MOS器件及其制作方法 發(fā)明專利 CN202111365416.X CN113793807B 2022-02-11
    7 一種解決電阻非線性的智能功率MOS管的制造方法 發(fā)明專利 CN202210007421.1 CN114023702A 2022-02-08
    8 一種超結(jié)和SGT新型復(fù)合MOSFET及其制造方法 發(fā)明專利 CN202111496386.6 CN113921401A 2022-01-11
    9 集成鰭式SBD結(jié)構(gòu)的溝槽柵MOSFET及其制造方法 發(fā)明專利 CN202111496378.1 CN113921400A 2022-01-11
    10 一種優(yōu)化電場(chǎng)特性的分裂柵溝槽MOS及其制造方法 發(fā)明專利 CN202111393083.1 CN113823567A 2021-12-21

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