鎵族科技
北京鎵族科技有限公司
存續(xù)商標(biāo)信息1
序號 | 商標(biāo)名稱 | 國際分類 | 注冊號 | 狀態(tài) | 申請日期 | 操作 |
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1 | 鎵族·科技GA GALLIUM FAMILY TECHNOLOGY | - | 30109042 | 商標(biāo)無效 | 2018-04-09 | 查看 |
專利信息64
序號 | 專利名稱 | 專利類型 | 申請?zhí)?/th> | 公開(公告)號 | 公布日期 |
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1 | 藍(lán)寶石斜切襯底優(yōu)化氧化鎵薄膜生長及日盲紫外探測器性能的方法 | 發(fā)明專利 | CN201910204193.5 | CN110061089B | 2022-06-07 |
2 | 一種氧化鎵晶片精細(xì)研磨液及其制備方法 | 發(fā)明專利 | CN202010996340.X | CN112322256B | 2021-12-28 |
3 | 一種采用磁控濺射制備的Sr3Al2O6薄膜及其方法 | 發(fā)明專利 | CN201811486615.4 | CN109628900B | 2021-10-22 |
4 | 一種Si基氧化鎵薄膜背柵極日盲紫外光晶體管及其制備方法 | 發(fā)明專利 | CN201810166644.6 | CN108470675B | 2021-09-28 |
5 | 立方尖晶石結(jié)構(gòu)CuGa2O4薄膜的制備方法及相應(yīng)的結(jié)構(gòu) | 發(fā)明專利 | CN201910393812.X | CN109943821B | 2021-09-03 |
6 | 鎵酸鑭薄膜及其制造方法及相應(yīng)的鎵酸鑭薄膜光電探測器 | 發(fā)明專利 | CN201811121315.6 | CN109449239B | 2021-07-06 |
7 | 鎵酸鑭薄膜及其制造方法及相應(yīng)的鎵酸鑭薄膜光電探測器 | 發(fā)明專利 | CN201811121315.6 | CN109449239A | 2021-07-06 |
8 | 一種Ga2O3-CuSCN核殼異質(zhì)結(jié)日盲紫外探測器及其制備方法 | 發(fā)明專利 | CN201910612898.0 | CN110323303B | 2021-05-11 |
9 | 一種通過摻雜鐵降低結(jié)晶溫度的氧化鎵薄膜制備方法 | 發(fā)明專利 | CN201811096587.5 | CN109411328B | 2021-05-11 |
10 | 一種氧化鎵晶片CMP后的清洗方法 | 發(fā)明專利 | CN202010997736.6 | CN112474550A | 2021-03-12 |
軟件著作權(quán)8
序號 | 軟件名稱 | 軟件簡稱 | 版本號 | 登記號 | 分類號 | 首次發(fā)表日期 | 登記批準(zhǔn)日期 |
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1 | 高靈敏光電型局部放電檢測系統(tǒng) | - | V1.0 | 2020SR0586480 | - | 2020-03-15 | 2020-06-08 |
2 | 三通道火災(zāi)檢測成像系統(tǒng) | - | V1.0 | 2020SR0586204 | - | 2020-03-28 | 2020-06-08 |
3 | 高靈敏型極弱火焰檢測系統(tǒng) | - | V1.0 | 2020SR0584876 | - | 2020-03-19 | 2020-06-08 |
4 | 晶體研磨設(shè)備計算模擬輔助系統(tǒng) | - | V1.0 | 2019SR0846026 | - | 2019-06-06 | 2019-08-14 |
5 | mist-CVD外延設(shè)備計算模擬輔助系統(tǒng) | - | V1.0 | 2019SR0360684 | - | 2018-06-12 | 2019-04-20 |
6 | 晶體生長設(shè)備計算模擬輔助系統(tǒng) | - | V1.0 | 2019SR0360671 | - | 2018-11-22 | 2019-04-20 |
7 | MOCVD外延設(shè)備計算模擬輔助系統(tǒng) | - | V1.0 | 2019SR0360531 | - | 2018-08-15 | 2019-04-20 |
8 | 晶體拋光設(shè)備計算模擬輔助系統(tǒng) | - | V1.0 | 2019SR0360323 | - | 2018-09-26 | 2019-04-20 |
作品著作權(quán)0
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