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    • 加睿晶欣

    山東加睿晶欣新材料股份有限公司

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    專利信息10

    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號(hào) 公布日期
    1 高溫?zé)崽幚磔o助二維涂覆掩模襯底生長氮化鎵單晶的方法 發(fā)明專利 CN202111128254.8 CN113832546A 2021-12-24
    2 一種多步連續(xù)調(diào)控直接生長自剝離氮化鎵的方法 發(fā)明專利 CN202110701740.8 CN113430649A 2021-09-24
    3 阻礙半極性面氮化鎵生長并制備自剝離氮化鎵晶體的方法 發(fā)明專利 CN202110701742.7 CN113430641A 2021-09-24
    4 一種水熱腐蝕多孔襯底生長自支撐氮化鎵單晶的方法 發(fā)明專利 CN201710601044.3 CN107326444B 2019-10-18
    5 一種利用激光處理襯底生長低應(yīng)力自支撐GaN單晶的方法 發(fā)明專利 CN201810122199.3 CN108315823A 2018-07-24
    6 一種水熱腐蝕多孔襯底生長自支撐氮化鎵單晶的方法 發(fā)明專利 CN201710601044.3 CN107326444A 2017-11-07
    7 在SiC襯底上直接生長自剝離GaN單晶的方法 發(fā)明專利 CN201410113538.3 CN103882526B 2016-06-01
    8 一種使用圖形化退火多孔結(jié)構(gòu)進(jìn)行GaN單晶生長的方法 發(fā)明專利 CN201410114052.1 CN103866380B 2016-05-11
    9 利用六方氮化硼納米片生長高質(zhì)量氮化鎵晶體的方法 發(fā)明專利 CN201410024671.1 CN103741221B 2016-04-20
    10 一種利用高溫退火表征GaN外延層中位錯(cuò)的方法 發(fā)明專利 CN201410000379.6 CN103728469B 2015-09-30

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