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    • 京河

    秦皇島京河科學(xué)技術(shù)研究院有限公司

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    專利信息16

    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開（公告）號(hào) 公布日期
    1 耐高溫低功耗的SiC MOSFET功率器件的制備方法及其結(jié)構(gòu) 發(fā)明專利 CN201711397848.2 CN108257856B 2019-05-24
    2 一種SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管及其制造方法 發(fā)明專利 CN201811288687.8 CN109461768A 2019-03-12
    3 一種無(wú)注入型終結(jié)端結(jié)構(gòu)的SiC肖特基二極管及其制備方法 發(fā)明專利 CN201811064324.6 CN109461654A 2019-03-12
    4 一種碳化硅器件制造方法 發(fā)明專利 CN201811288664.7 CN109461648A 2019-03-12
    5 一種SiCMOSFET柵氧化層退火方法 發(fā)明專利 CN201811288681.0 CN109461646B 2019-03-12
    6 一種SiC MOSFET柵氧化層退火方法 發(fā)明專利 CN201811288681.0 CN109461646A 2019-03-12
    7 一種抗浪涌能力增強(qiáng)型的4H-SiC肖特基二極管及其制備方法 發(fā)明專利 CN201811063584.1 CN109449085A 2019-03-08
    8 SiC溝槽MOS器件及其制作方法 發(fā)明專利 CN201811288730.0 CN109411546A 2019-03-01
    9 一種SiC MOSFET柵氧化層退火方法 發(fā)明專利 CN201811290893.2 CN109411343A 2019-03-01
    10 一種碳化硅溝槽刻蝕方法 發(fā)明專利 CN201811288688.2 CN109411342A 2019-03-01

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