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    • 凝慧

    云南凝慧電子科技有限公司

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    • 地址：云南省滇中新區(qū)大板橋街道7號辦公樓7-114室
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    • 專利信息 62
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    專利信息62

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 基于雙線性漸變Al組分AlGaN電子發(fā)射層GaN耿氏二極管及制作方法 發(fā)明專利 CN201410272508.7 CN104009157B 2016-10-12
    2 HEMT器件柵泄漏電流中臺面泄漏電流的測試方法 發(fā)明專利 CN201410319025.8 CN104062485B 2016-08-17
    3 基于復(fù)合漏極的槽柵高壓器件及其制作方法 發(fā)明專利 CN201410033307.1 CN103839996B 2016-08-17
    4 加源場板耗盡型絕緣柵AlGaN/GaN器件結(jié)構(gòu)及其制作方法 發(fā)明專利 CN201410025516.1 CN103779406B 2016-05-04
    5 一種基于槽柵高壓器件及其制作方法 發(fā)明專利 CN201410033269.X CN103794643B 2016-03-02
    6 選區(qū)外延的一維電子氣GaN基HEMT器件及制備方法 發(fā)明專利 CN201310280177.7 CN103400856B 2016-03-02
    7 橫向過生長一維電子氣GaN基HEMT器件及制備方法 發(fā)明專利 CN201310277894.4 CN103383959B 2015-10-28
    8 二次生長的一維電子氣GaN基HEMT器件及制備方法 發(fā)明專利 CN201310280220.X CN103367429B 2015-10-28
    9 基于刻蝕的一維電子氣GaN基HEMT器件及制備方法 發(fā)明專利 CN201310280216.3 CN103367428B 2015-10-28
    10 基于a面6H-SiC襯底上a面GaN緩沖層上InN半導(dǎo)體器件的制備方法 發(fā)明專利 CN201310237610.9 CN103320764B 2015-10-21

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