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    • 富芯

    杭州富芯半導(dǎo)體有限公司

    存續(xù)
    • 地址：浙江省杭州市富陽區(qū)靈橋鎮(zhèn)濱富大道135號（濱富合作區(qū)）
    • 簡介：-
    • 商標(biāo)信息 9
    • 專利信息 6
    • 軟件著作權(quán) 0
    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 2

    商標(biāo)信息9

    序號 商標(biāo)名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 FULLSEMI 40類-材料加工 59494360 駁回復(fù)審中 2021-09-26 查看
    2 圖形 40類-材料加工 59483761 商標(biāo)已注冊 2021-09-26 查看
    3 FULLSEMI 40類-材料加工 59473909 駁回復(fù)審中 2021-09-26 查看
    4 FULLSEMI 42類-網(wǎng)站服務(wù) 55863303 商標(biāo)無效 2021-05-07 查看
    5 FULLSEMI 09類-科學(xué)儀器 55852792 商標(biāo)無效 2021-05-07 查看
    6 圖形 42類-網(wǎng)站服務(wù) 55501359 駁回復(fù)審中 2021-04-23 查看
    7 圖形 09類-科學(xué)儀器 55498491 商標(biāo)已注冊 2021-04-23 查看
    8 FULLSEMI 42類-網(wǎng)站服務(wù) 55495041 商標(biāo)已注冊 2021-04-23 查看
    9 FULLSEMI 09類-科學(xué)儀器 55490301 商標(biāo)已注冊 2021-04-23 查看

    專利信息6

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 一種晶圓的離子注入方法 發(fā)明專利 CN202111539094.6 CN114334633A 2022-04-12
    2 監(jiān)測刻蝕腔體顆粒的方法、裝置、服務(wù)器及可讀存儲介質(zhì) 發(fā)明專利 CN202111451988.X CN114324187A 2022-04-12
    3 半導(dǎo)體工藝方法及適用該半導(dǎo)體工藝方法的多腔室工藝設(shè)備 發(fā)明專利 CN202111553675.5 CN114318306A 2022-04-12
    4 具有MIM電容器的半導(dǎo)體器件及其制備方法 發(fā)明專利 CN202111327784.5 CN114220917A 2022-03-22
    5 一種MOS器件及其制作方法 發(fā)明專利 CN202111406269.6 CN114220851A 2022-03-22
    6 一種溝槽的制備方法 發(fā)明專利 CN202111326597.5 CN114220766A 2022-03-22

    軟件著作權(quán)0

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    作品著作權(quán)0

    暫無信息 暫無作品著作權(quán)

    網(wǎng)站備案2

    序號 網(wǎng)站名 網(wǎng)址 備案號 主辦單位性質(zhì) 審核日期
    1 杭州富芯半導(dǎo)體有限公司 www.fullsemitech.com 浙ICP備2021028789號 企業(yè) 2021-09-17
    2 - www.fullsemitech.com 浙ICP備2021028789號 企業(yè) 2021-09-17
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