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    • 漢林

    淄博漢林半導(dǎo)體有限公司

    開(kāi)業(yè)
    • 地址：山東省淄博高新區(qū)政通路135號(hào)高科技創(chuàng)業(yè)園C416室
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    商標(biāo)信息1

    序號(hào) 商標(biāo)名稱 國(guó)際分類 注冊(cè)號(hào) 狀態(tài) 申請(qǐng)日期 操作
    1 FINSBD - 21030807 商標(biāo)已注冊(cè) 2016-08-18 查看

    專利信息51

    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開(kāi)（公告）號(hào) 公布日期
    1 一種ONO制程的Splt-GateMOSFET芯片 實(shí)用新型 CN202120330680.9 CN214753773U 2021-11-16
    2 一種高導(dǎo)電效率的GaN基HEMT芯片 實(shí)用新型 CN202121263040.7 CN214753771U 2021-11-16
    3 適用于鋰電池充放電保護(hù)用的新型開(kāi)關(guān)芯片 實(shí)用新型 CN202120648953.4 CN214378452U 2021-10-08
    4 帶有排氣槽導(dǎo)線 實(shí)用新型 CN202120330691.7 CN214378415U 2021-10-08
    5 一種高導(dǎo)電效率的GaN基HEMT芯片及其制備方法 發(fā)明專利 CN202110631801.8 CN113257894A 2021-08-13
    6 一種新型立體導(dǎo)電的肖特基二極管 實(shí)用新型 CN202021494485.1 CN212542447U 2021-02-12
    7 一種新型雙溝槽的肖特基二極管 實(shí)用新型 CN202021477848.0 CN212542446U 2021-02-12
    8 精簡(jiǎn)光刻Split-GateMOSFET芯片 實(shí)用新型 CN202021818076.2 CN212542445U 2021-02-12
    9 一種高導(dǎo)通低漏電的肖特基芯片 實(shí)用新型 CN201921868925.2 CN210516734U 2020-05-12
    10 一種任意結(jié)構(gòu)的肖特基芯片及肖特基二極管 實(shí)用新型 CN201821246097.4 CN208861996U 2019-05-14

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