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    • 中為光電

    西安中為光電科技有限公司

    在業(yè)
    • 地址：西安市電子城電子西街3號201號廠房二層
    • 簡介：-
    • 商標(biāo)信息 1
    • 專利信息 29
    • 軟件著作權(quán) 0
    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 2

    商標(biāo)信息1

    序號 商標(biāo)名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 中為光電 09類-科學(xué)儀器 7173468 商標(biāo)已注冊 2009-01-19 查看

    專利信息29

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 高增益的紫外雪崩探測器 發(fā)明專利 CN201710453903.9 CN107275435B 2019-04-09
    2 一種隱形切割和背鍍LED芯片的制作方法 發(fā)明專利 CN201710081998.6 CN106784200B 2018-10-19
    3 一種具有發(fā)射和接收光信號功能的芯片 實用新型 CN201820092267.1 CN207753031U 2018-08-21
    4 一種具有發(fā)射和接收光信號功能的芯片及其制作方法 發(fā)明專利 2018100555412 CN108364909B 2018-08-03
    5 一種具有發(fā)射和接收光信號功能的芯片及其制作方法 發(fā)明專利 CN201810055541.2 CN108364909A 2018-08-03
    6 一種GaN外延廢片回收的方法 發(fā)明專利 CN201510187404.0 CN104779326B 2018-05-01
    7 復(fù)合電流擴(kuò)展層及其制作方法 發(fā)明專利 CN201710676698.2 CN107492570B 2017-12-19
    8 復(fù)合電流擴(kuò)展層及其制作方法 發(fā)明專利 CN201710676698.2 CN107492570A 2017-12-19
    9 提高紫外LED紫外光純度的結(jié)構(gòu)及其方法 發(fā)明專利 CN201610044270.1 CN105449063B 2017-11-14
    10 高增益的紫外雪崩探測器 發(fā)明專利 CN201710453903.9 CN107275435A 2017-10-20

    軟件著作權(quán)0

    暫無信息 暫無軟件著作權(quán)

    作品著作權(quán)0

    暫無信息 暫無作品著作權(quán)

    網(wǎng)站備案2

    序號 網(wǎng)站名 網(wǎng)址 備案號 主辦單位性質(zhì) 審核日期
    1 西安中為光電科技有限公司 www.zoomview.com.cn 陜ICP備08004413號 企業(yè) 2019-08-21
    2 西安中為光電科技有限公司 www.zoomview.com.cn 陜ICP備08004413號 企業(yè) 2019-08-21
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