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    • 賽富樂斯

    西安賽富樂斯半導(dǎo)體科技有限公司

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    • 地址：陜西省西安市高新區(qū)上林苑一路15號4棟4102室
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    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 具有(20-2-1)面的半極性氮化鎵的外延層 實(shí)用新型 CN201822021967.4 CN209029404U 2019-06-25
    2 半極性氮化鎵半導(dǎo)體構(gòu)件 實(shí)用新型 CN201822029597.9 CN209029403U 2019-06-25
    3 半極性氮化鎵半導(dǎo)體構(gòu)件 實(shí)用新型 CN201822027655.4 CN208970551U 2019-06-11
    4 半極性氮化鎵單量子阱層發(fā)光器件 實(shí)用新型 CN201822027731.1 CN208970550U 2019-06-11
    5 半極性氮化鎵單量子阱藍(lán)光發(fā)光器件 實(shí)用新型 CN201822027653.5 CN208970549U 2019-06-11
    6 在無層錯(cuò)半極性(20-21)GaN基板上制備的發(fā)光器件 實(shí)用新型 CN201822021971.0 CN208970548U 2019-06-11
    7 半導(dǎo)體晶片 實(shí)用新型 CN201822029819.7 CN208970547U 2019-06-11
    8 半導(dǎo)體構(gòu)件 實(shí)用新型 CN201822021968.9 CN208889687U 2019-05-21
    9 將氮化鎵外延層從襯底上剝離的方法 發(fā)明專利 CN201811473218.3 CN109585615B 2019-04-05
    10 將氮化鎵外延層從襯底上剝離的方法 發(fā)明專利 CN201811473218.3 CN109585615A 2019-04-05

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