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    • 芯一代

    廈門芯一代集成電路有限公司

    存續(xù)
    • 地址：中國(福建)自由貿(mào)易試驗區(qū)廈門片區(qū)港中路1694號萬翔國際商務中心2#南樓第7層第704、705、706單元
    • 簡介：-
    • 商標信息 9
    • 專利信息 58
    • 軟件著作權 0
    • 作品著作權 0
    • 網(wǎng)站備案 2

    商標信息9

    序號 商標名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 芯一代 35類-廣告銷售 39409157 商標已注冊 2019-07-03 查看
    2 芯一代 09類-科學儀器 39401742 商標已注冊 2019-07-03 查看
    3 芯一代 42類-網(wǎng)站服務 39393112 商標已注冊 2019-07-03 查看
    4 XYDS 35類-廣告銷售 35304648 商標無效 2018-12-13 查看
    5 XYDS 42類-網(wǎng)站服務 35291165 商標已注冊 2018-12-13 查看
    6 XYDS 09類-科學儀器 35289631 等待實質(zhì)審查 2018-12-13 查看
    7 XYDFAB 35類-廣告銷售 30407739 商標已注冊 2018-04-20 查看
    8 XYDFAB 42類-網(wǎng)站服務 30397804 商標已注冊 2018-04-20 查看
    9 XYDFAB 09類-科學儀器 30386461 商標已注冊 2018-04-20 查看

    專利信息58

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 由IGBT和MOSFET構成的混合功率模塊的封裝結構及其使用方法 發(fā)明專利 CN202110961862.0 CN113690203A 2021-11-23
    2 具有復合保護層的分裂柵功率半導體功率器件及制備方法 發(fā)明專利 CN202110950001.2 CN113690199A 2021-11-23
    3 一種可多次外延的超結功率MOSFET結構及使用方法 發(fā)明專利 CN202110956734.7 CN113690196A 2021-11-23
    4 一種具有外部緩沖保護結構的雙極晶體管及使用方法 發(fā)明專利 CN202110950003.1 CN113690193A 2021-11-23
    5 一種全自對準的槽柵絕緣柵雙極晶體管及其制備方法 發(fā)明專利 CN202110955619.8 CN113690191A 2021-11-23
    6 一種具有分級緩沖層的VDMOS半導體功率器件及使用方法 發(fā)明專利 CN202110951288.0 CN113685484A 2021-11-23
    7 一種新型的高壓槽柵MOS器件 實用新型 CN202121123899.8 CN214672630U 2021-11-09
    8 一種新型的高壓VDMOS器件 實用新型 CN202120636868.6 CN214542246U 2021-10-29
    9 一種新型的槽柵型MOS器件 實用新型 CN202120653161.6 CN214279987U 2021-09-24
    10 一種基于SIC的高壓VDMOS器件 實用新型 CN202120376880.8 CN214203695U 2021-09-14

    軟件著作權0

    暫無信息 暫無軟件著作權

    作品著作權0

    暫無信息 暫無作品著作權

    網(wǎng)站備案2

    序號 網(wǎng)站名 網(wǎng)址 備案號 主辦單位性質(zhì) 審核日期
    1 - www.xfabsemi.com 閩ICP備17020005號 企業(yè) 2017-08-08
    2 - www.xfabsemi.com 閩ICP備17020005號 企業(yè) 2017-08-08
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