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    • 半導體

    陜西半導體先導技術中心有限公司

    在業(yè)
    • 地址：陜西省西安市高新區(qū)丈八街辦丈八四路20號5幢16層
    • 簡介：-
    • 商標信息 5
    • 專利信息 82
    • 軟件著作權 0
    • 作品著作權 0
    • 網(wǎng)站備案 1

    商標信息5

    序號 商標名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 S SASTC 陜西半導體先導技術中心 42類-網(wǎng)站服務 57408767 等待實質審查 2021-07-02 查看
    2 樹芯計劃 SEMICON PLANT 35類-廣告銷售 57360452 等待實質審查 2021-07-01 查看
    3 圖形 - 51230120 等待實質審查 2020-11-12 查看
    4 樹芯計劃;SEMICON PLANT 35類-廣告銷售 51224825 商標已注冊 2020-11-12 查看
    5 樹芯計劃 41類-教育娛樂 51213123 商標已注冊 2020-11-12 查看

    專利信息82

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 一種提高半導體器件臺面耐壓結構 實用新型 CN202023265017.X CN213692060U 2021-07-13
    2 一種降低導通電阻的功率半導體器件結構及其制備方法 發(fā)明專利 CN202110105602.3 CN112951907A 2021-06-11
    3 便于結溫檢測的功率半導體器件及其結溫測量方法 發(fā)明專利 CN202110126966.X CN112946450A 2021-06-11
    4 一種提高半導體器件臺面耐壓結構及制備方法 發(fā)明專利 CN202011603186.1 CN112635550A 2021-04-09
    5 一種降低導通電阻和增加安全工作區(qū)的功率半導體器件結構 實用新型 CN202020505108.7 CN211629116U 2020-10-02
    6 一種具有低相對介電常數(shù)埋層的縱向高壓功率半導體器件結構 發(fā)明專利 CN202010398404.6 CN111554748A 2020-08-18
    7 一種降低導通電阻和增加安全工作區(qū)的功率半導體器件結構 發(fā)明專利 CN202010271966.4 CN111463271A 2020-07-28
    8 一種可降低導通電阻并增加安全工作區(qū)的功率半導體器件制備方法 發(fā)明專利 CN202010271995.0 CN111463132A 2020-07-28
    9 一種碳化硅倒T形掩蔽層結構的MOSFET器件 實用新型 CN201920793260.7 CN210379054U 2020-04-21
    10 一種具有L型掩蔽層結構的碳化硅MOSFET器件 實用新型 CN201920793325.8 CN209981224U 2020-01-21

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    暫無信息 暫無軟件著作權

    作品著作權0

    暫無信息 暫無作品著作權

    網(wǎng)站備案1

    序號 網(wǎng)站名 網(wǎng)址 備案號 主辦單位性質 審核日期
    1 陜西半導體先導技術中心有限公司 www.sastc.com.cn 陜ICP備19002479號 企業(yè) 2019-01-31
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