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    • 半導(dǎo)體

    陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心有限公司

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    商標(biāo)信息5

    序號(hào) 商標(biāo)名稱(chēng) 國(guó)際分類(lèi) 注冊(cè)號(hào) 狀態(tài) 申請(qǐng)日期 操作
    1 S SASTC 陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心 42類(lèi)-網(wǎng)站服務(wù) 57408767 等待實(shí)質(zhì)審查 2021-07-02 查看
    2 樹(shù)芯計(jì)劃 SEMICON PLANT 35類(lèi)-廣告銷(xiāo)售 57360452 等待實(shí)質(zhì)審查 2021-07-01 查看
    3 圖形 - 51230120 等待實(shí)質(zhì)審查 2020-11-12 查看
    4 樹(shù)芯計(jì)劃;SEMICON PLANT 35類(lèi)-廣告銷(xiāo)售 51224825 商標(biāo)已注冊(cè) 2020-11-12 查看
    5 樹(shù)芯計(jì)劃 41類(lèi)-教育娛樂(lè) 51213123 商標(biāo)已注冊(cè) 2020-11-12 查看

    專(zhuān)利信息82

    序號(hào) 專(zhuān)利名稱(chēng) 專(zhuān)利類(lèi)型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開(kāi)（公告）號(hào) 公布日期
    1 一種提高半導(dǎo)體器件臺(tái)面耐壓結(jié)構(gòu) 實(shí)用新型 CN202023265017.X CN213692060U 2021-07-13
    2 一種降低導(dǎo)通電阻的功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制備方法 發(fā)明專(zhuān)利 CN202110105602.3 CN112951907A 2021-06-11
    3 便于結(jié)溫檢測(cè)的功率半導(dǎo)體器件及其結(jié)溫測(cè)量方法 發(fā)明專(zhuān)利 CN202110126966.X CN112946450A 2021-06-11
    4 一種提高半導(dǎo)體器件臺(tái)面耐壓結(jié)構(gòu)及制備方法 發(fā)明專(zhuān)利 CN202011603186.1 CN112635550A 2021-04-09
    5 一種降低導(dǎo)通電阻和增加安全工作區(qū)的功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu) 實(shí)用新型 CN202020505108.7 CN211629116U 2020-10-02
    6 一種具有低相對(duì)介電常數(shù)埋層的縱向高壓功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu) 發(fā)明專(zhuān)利 CN202010398404.6 CN111554748A 2020-08-18
    7 一種降低導(dǎo)通電阻和增加安全工作區(qū)的功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu) 發(fā)明專(zhuān)利 CN202010271966.4 CN111463271A 2020-07-28
    8 一種可降低導(dǎo)通電阻并增加安全工作區(qū)的功率半導(dǎo)體器件制備方法 發(fā)明專(zhuān)利 CN202010271995.0 CN111463132A 2020-07-28
    9 一種碳化硅倒T形掩蔽層結(jié)構(gòu)的MOSFET器件 實(shí)用新型 CN201920793260.7 CN210379054U 2020-04-21
    10 一種具有L型掩蔽層結(jié)構(gòu)的碳化硅MOSFET器件 實(shí)用新型 CN201920793325.8 CN209981224U 2020-01-21

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