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    • 開泰

    開泰半導(dǎo)體（深圳）有限公司

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    • 地址：深圳市坪山區(qū)坪山街道六聯(lián)社區(qū)坪山大道2007號(hào)創(chuàng)新廣場(chǎng)B1404
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    專利信息16

    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開（公告）號(hào) 公布日期
    1 雙閘極溝槽式絕緣閘雙極性晶體管器件 發(fā)明專利 CN202011162518.7 CN114497171A 2022-05-13
    2 大電流絕緣柵雙極型晶體管器件 實(shí)用新型 CN202022413927.1 CN214254425U 2021-09-21
    3 溝槽絕緣柵雙極型晶體管 實(shí)用新型 CN202022423571.X CN214152905U 2021-09-07
    4 MOS型功率半導(dǎo)體器件 實(shí)用新型 CN202022570975.1 CN213988891U 2021-08-17
    5 低功耗功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管 實(shí)用新型 CN202022570687.6 CN213988890U 2021-08-17
    6 耐壓功率MOSFET器件 實(shí)用新型 CN202022576884.9 CN213583803U 2021-06-29
    7 高可靠性溝槽功率MOS晶體管 實(shí)用新型 CN202022576714.0 CN213583802U 2021-06-29
    8 垂直功率MOS半導(dǎo)體器件 實(shí)用新型 CN202022576645.3 CN213583801U 2021-06-29
    9 深溝槽功率MOS半導(dǎo)體器件 實(shí)用新型 CN202022576642.X CN213583800U 2021-06-29
    10 垂直型金氧半場(chǎng)效晶體管器件 實(shí)用新型 CN202022576105.5 CN213583799U 2021-06-29

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