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    • 鑫耀

    云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司

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    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開（公告）號(hào) 公布日期
    1 不同偏角度砷化鎵籽晶加工及砷化鎵單晶的制備方法 發(fā)明專利 CN202111179012.1 CN113981523A 2022-01-28
    2 一種VB法與VGF法結(jié)合快速生長(zhǎng)低位錯(cuò)砷化鎵單晶的生長(zhǎng)裝置及方法 發(fā)明專利 CN202111222796.1 CN113957537A 2022-01-21
    3 低顆粒度、低暗點(diǎn)半絕緣砷化鎵晶片的制備方法 發(fā)明專利 CN202111065459.6 CN113913939A 2022-01-11
    4 一種用于VGF磷化銦單晶生長(zhǎng)爐內(nèi)的爐芯 實(shí)用新型 CN202121613081.4 CN215328462U 2021-12-28
    5 一種VGF法生長(zhǎng)磷化銦單晶的方法 發(fā)明專利 CN202110802948.9 CN113638048A 2021-11-12
    6 碳化硅單晶生長(zhǎng)中廢料的回收處理方法 發(fā)明專利 CN202110911820.6 CN113564712A 2021-10-29
    7 一種新型碳化硅粉料合成用的坩堝 實(shí)用新型 CN202120557611.1 CN214406949U 2021-10-15
    8 一種碳化硅晶體的高溫二次退火方法 發(fā)明專利 CN202110459963.8 CN113174638A 2021-07-27
    9 一種VGF法生長(zhǎng)單晶的循環(huán)水溫控裝置 實(shí)用新型 CN202022378186.8 CN213507286U 2021-06-22
    10 一種VGF法生長(zhǎng)單晶的單晶爐結(jié)構(gòu) 實(shí)用新型 CN202022367535.6 CN213507285U 2021-06-22

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