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    • 新潔能

    無錫新潔能股份有限公司

    存續(xù)
    • 地址：無錫市新吳區(qū)電騰路6號
    • 簡介：-
    • 商標信息 59
    • 專利信息 259
    • 軟件著作權 0
    • 作品著作權 0
    • 網站備案 1

    商標信息59

    序號 商標名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 N TRENCH 09類-科學儀器 58347591 商標申請中 2021-08-10 查看
    2 N IPM 09類-科學儀器 57953856 商標申請中 2021-07-23 查看
    3 DRIVER CEPOWER 09類-科學儀器 57381548 等待實質審查 2021-07-01 查看
    4 NCEP IGBT 09類-科學儀器 57380831 等待實質審查 2021-07-01 查看
    5 SIC NCEPOWER 09類-科學儀器 57379139 等待實質審查 2021-07-01 查看
    6 - 09類-科學儀器 57377736 等待實質審查 2021-07-01 查看
    7 SGT CEPOWER 09類-科學儀器 57376524 等待實質審查 2021-07-01 查看
    8 N GAN 09類-科學儀器 57376269 等待實質審查 2021-07-01 查看
    9 - 09類-科學儀器 57375675 等待實質審查 2021-07-01 查看
    10 XJN PMIC 09類-科學儀器 57375143 等待實質審查 2021-07-01 查看

    專利信息259

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 降低導通電阻的功率晶體管結構及制造方法 發(fā)明專利 CN202110727519.X CN113471279A 2021-10-01
    2 屏蔽柵溝槽型半導體器件及其制造方法 發(fā)明專利 CN202110702123.X CN113471278A 2021-10-01
    3 快恢復功率MOSFET及其制造方法 發(fā)明專利 CN202110908107.6 CN113437137A 2021-09-24
    4 溝槽型功率半導體器件及其制造方法 發(fā)明專利 CN202110534213.2 CN113314589A 2021-08-27
    5 溝槽功率半導體器件 實用新型 CN202022828844.9 CN213905364U 2021-08-06
    6 高可靠的碳化硅MOSFET器件及其工藝方法 發(fā)明專利 CN202110274452.9 CN113066867A 2021-07-02
    7 碳化硅MOSFET器件及其工藝方法 發(fā)明專利 CN202110274425.1 CN113066866A 2021-07-02
    8 降低開關損耗的半導體器件及其制作方法 發(fā)明專利 CN202110274169.6 CN113066865A 2021-07-02
    9 半導體器件及制作方法 發(fā)明專利 CN202110274455.2 CN113066853A 2021-07-02
    10 感測功率半導體器件 發(fā)明專利 CN202110274144.6 CN113066852A 2021-07-02

    軟件著作權0

    暫無信息 暫無軟件著作權

    作品著作權0

    暫無信息 暫無作品著作權

    網站備案1

    序號 網站名 網址 備案號 主辦單位性質 審核日期
    1 無錫新潔能股份有限公司 www.ncepower.com 蘇ICP備10092938號 企業(yè) 2019-05-09
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