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    • 瀚天天成

    瀚天天成電子科技（廈門）有限公司

    存續(xù)
    • 地址：廈門火炬高新區(qū)（翔安）產(chǎn)業(yè)區(qū)翔星路96號建業(yè)樓B座一層
    • 簡介：-
    • 商標(biāo)信息 4
    • 專利信息 51
    • 軟件著作權(quán) 0
    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 0

    商標(biāo)信息4

    序號 商標(biāo)名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 圖形 09類-科學(xué)儀器 13674668 商標(biāo)已注冊 2013-12-05 查看
    2 瀚天天成 09類-科學(xué)儀器 13674601 商標(biāo)已注冊 2013-12-05 查看
    3 EPIWORLD 09類-科學(xué)儀器 12043688 商標(biāo)已注冊 2013-01-14 查看
    4 瀚天 09類-科學(xué)儀器 12043675 商標(biāo)已注冊 2013-01-14 查看

    專利信息51

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 一種碳化硅外延生長的控制方法及碳化硅外延片 發(fā)明專利 CN202011344467.X CN112466745B 2021-10-08
    2 一種分離式外延生長承載盤 實用新型 CN202023025764.6 CN213936156U 2021-08-10
    3 一種外延薄膜生長承載盤 實用新型 CN202022770695.5 CN213925129U 2021-08-10
    4 一種提高碳化硅外延薄膜生長質(zhì)量的方法 發(fā)明專利 CN202011420249.X CN112490117B 2021-08-10
    5 一種提高碳化硅外延薄膜生長質(zhì)量的方法 發(fā)明專利 CN202011420249.X CN112490117A 2021-08-10
    6 一種晶片清洗裝置 發(fā)明專利 CN202110430344.6 CN113140488A 2021-07-20
    7 一種半導(dǎo)體摻雜層厚度無損檢測方法 發(fā)明專利 CN202110423512.9 CN113140478A 2021-07-20
    8 一種碳化硅外延反應(yīng)室源氣進(jìn)氣過渡部件 實用新型 CN202022046710.1 CN213624472U 2021-07-06
    9 一種碳化硅外延反應(yīng)室側(cè)壁部件 實用新型 CN202022031451.5 CN213624470U 2021-07-06
    10 一種源氣進(jìn)氣過渡部件的拆取裝置 實用新型 CN202022095273.2 CN213624370U 2021-07-06

    軟件著作權(quán)0

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    暫無信息 暫無作品著作權(quán)

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