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    • 萬國

    重慶萬國半導體科技有限公司

    存續(xù)
    • 地址：重慶市北碚區(qū)悅復大道288號
    • 簡介：-
    • 商標信息 3
    • 專利信息 245
    • 軟件著作權(quán) 0
    • 作品著作權(quán) 2
    • 網(wǎng)站備案 2

    商標信息3

    序號 商標名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 圖形 42類-網(wǎng)站服務(wù) 45696955 商標已注冊 2020-04-23 查看
    2 圖形 09類-科學儀器 45696954 商標已注冊 2020-04-23 查看
    3 圖形 40類-材料加工 45696953 商標已注冊 2020-04-23 查看

    專利信息245

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 一種SGT MOSFET器件及其接觸孔的制造方法 發(fā)明專利 CN202110271647.8 CN113035840A 2021-06-25
    2 一種柵極電阻可調(diào)型超結(jié)功率器件及其制造方法 發(fā)明專利 CN202110271644.4 CN113035701A 2021-06-25
    3 一種溝槽功率器件與源極電容集成及其制造方法 發(fā)明專利 CN202011262093.7 CN112382613A 2021-02-19
    4 一種溝槽功率器件及其制造方法 發(fā)明專利 CN202011264302.1 CN112382566A 2021-02-19
    5 一種多層外延減壓生長方法 發(fā)明專利 CN202011264301.7 CN112382560A 2021-02-19
    6 聯(lián)合封裝高端和低端芯片的半導體器件及其制造方法 發(fā)明專利 CN201110310147.7 CN103035631B 2015-07-29
    7 制備準諧振變換器的單片IGBT和二極管結(jié)構(gòu)及方法 發(fā)明專利 CN201110436059.1 CN102569297B 2015-07-15
    8 帶有MOSFET和低正向電壓的等效二極管增強型JFET的半導體器件及其制備方法 發(fā)明專利 CN201110306022.7 CN102437187B 2015-07-01
    9 二維屏蔽柵晶體管器件及其制備方法 發(fā)明專利 CN201210418340.7 CN103094321B 2015-06-24
    10 一種低導通電阻的功率MOS晶體管器件及其制備方法 發(fā)明專利 CN201110305952.0 CN103021858B 2015-05-27

    軟件著作權(quán)0

    暫無信息 暫無軟件著作權(quán)

    作品著作權(quán)2

    序號 作品名 作品類別 登記號 創(chuàng)作完成日期 首次發(fā)表日期 登記批準日期
    1 重慶萬國半導體公司2020標識（圖） - 國作登字-2020-F-01038969 - 2020 2020
    2 重慶萬國半導體公司中文標識 - 國作登字-2020-F-01038358 - 2018 2020

    網(wǎng)站備案2

    序號 網(wǎng)站名 網(wǎng)址 備案號 主辦單位性質(zhì) 審核日期
    1 重慶萬國半導體科技有限公司 222.178.193.203 渝ICP備18014808號 企業(yè) 2020-06-09
    2 重慶萬國半導體科技有限公司 www.cqaos.com 渝ICP備18014808號 企業(yè) 2020-06-09
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