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    • 立昂東芯

    杭州立昂東芯微電子有限公司

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    • 地址：浙江省杭州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)20號(hào)大街199號(hào)1-5幢
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    專利信息21

    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號(hào) 公布日期
    1 一種晶圓解鍵合輔助載盤、解鍵合機(jī)及解鍵合方法 發(fā)明專利 CN202010066736.4 CN111244015A 2020-06-05
    2 一種砷化鎵器件金屬保護(hù)環(huán) 發(fā)明專利 CN202010110737.4 CN111162058A 2020-05-15
    3 一種適用于低導(dǎo)熱導(dǎo)電材料基板的器件制成方法 發(fā)明專利 CN201811592435.4 CN109782383B 2019-05-21
    4 一種適用于低導(dǎo)熱導(dǎo)電材料基板的器件制成方法 發(fā)明專利 CN201811592435.4 CN109782383A 2019-05-21
    5 一種基于PHEMT工藝的MMIC等效管芯模型 發(fā)明專利 CN201610135225.7 CN105740580B 2019-02-22
    6 一種銦鎵磷異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管及其制造方法 發(fā)明專利 CN201610253781.4 CN105870166B 2019-02-12
    7 一種砷化鎵半導(dǎo)體基片濕法刻蝕工藝 發(fā)明專利 CN201610174316.1 CN105762062B 2018-09-28
    8 小能帶隙III-V族MOSFET器件的非對(duì)稱型源漏極結(jié)構(gòu) 發(fā)明專利 CN201610337865.6 CN105826392B 2018-08-31
    9 一種基于砷化鎵器件的MIM電容器及其制造工藝 發(fā)明專利 CN201610174315.7 CN105845669B 2018-06-12
    10 一種化合物半導(dǎo)體層間介電導(dǎo)線及其制備方法 發(fā)明專利 CN201710345312.X CN107424978A 2017-12-01

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