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    • 中微

    南昌中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司

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    • 地址：江西省南昌市南昌高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)光電路699號
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    • 專利信息 54
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    • 作品著作權(quán) 0
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    專利信息54

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 一種薄膜生長系統(tǒng)以及基片托盤和載環(huán)組件 實(shí)用新型 CN202023270443.2 CN214313127U 2021-09-28
    2 用于化學(xué)氣相沉積裝置的托盤和化學(xué)氣相沉積裝置 發(fā)明專利 CN201911405406.7 CN113122825A 2021-07-16
    3 金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器 發(fā)明專利 CN201911411224.0 CN113122823A 2021-07-16
    4 用于化學(xué)氣相沉積裝置的托盤和化學(xué)氣相沉積裝置 實(shí)用新型 CN201922459233.9 CN211570766U 2020-09-25
    5 托盤及其金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器 實(shí)用新型 CN202020138314.9 CN211445893U 2020-09-08
    6 一種化學(xué)氣相沉積裝置及其清潔方法 發(fā)明專利 CN201510218357.1 CN106191809B 2018-12-25
    7 晶圓托盤 發(fā)明專利 CN201410850544.7 CN105810625B 2018-10-16
    8 化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器或外延層生長反應(yīng)器及其支撐裝置 發(fā)明專利 CN201510488320.0 CN105088187B 2018-09-18
    9 一種等離子處理裝置運(yùn)行方法 發(fā)明專利 CN201510747995.2 CN106683969B 2018-09-11
    10 一種MOCVD反應(yīng)器的處理方法 發(fā)明專利 CN201510083854.5 CN105986243B 2018-07-24

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