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    • 乾晶

    杭州乾晶半導(dǎo)體有限公司

    存續(xù)
    • 地址：浙江省杭州市蕭山區(qū)建設(shè)三路733號信息港五期一號樓205-2
    • 簡介：-
    • 商標(biāo)信息 9
    • 專利信息 12
    • 軟件著作權(quán) 0
    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 1

    商標(biāo)信息9

    序號 商標(biāo)名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 IVSEMITEC - 56276352 初審公告 2021-05-21 查看
    2 乾晶半導(dǎo)體 - 56273646 商標(biāo)已注冊 2021-05-21 查看
    3 乾晶半導(dǎo)體 - 56273636 初審公告 2021-05-21 查看
    4 圖形 - 56260304 等待實質(zhì)審查 2021-05-21 查看
    5 IVSEMITEC - 56256409 初審公告 2021-05-21 查看
    6 圖形 - 56255546 等待實質(zhì)審查 2021-05-21 查看
    7 乾晶半導(dǎo)體 - 56252742 商標(biāo)已注冊 2021-05-21 查看
    8 圖形 - 56246498 等待實質(zhì)審查 2021-05-21 查看
    9 IVSEMITEC - 56246482 商標(biāo)已注冊 2021-05-21 查看

    專利信息12

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 一種碳化硅晶圓 實用新型 CN202122627593.2 CN216773241U 2022-06-17
    2 一種保護(hù)碳化硅籽晶背封層的方法 發(fā)明專利 CN202210260433.5 CN114622174A 2022-06-14
    3 一種用于剝離晶片的激光加工方法、裝置 發(fā)明專利 CN202210315631.7 CN114473188A 2022-05-13
    4 一種碳化硅籽晶重復(fù)循環(huán)利用的方法、裝置 發(fā)明專利 CN202210377781.0 CN114457425A 2022-05-10
    5 一種SiC襯底雙脈沖飛秒激光切片的方法 發(fā)明專利 CN202210238596.3 CN114453770A 2022-05-10
    6 一種用于剝離晶錠的激光加工裝置及控制系統(tǒng) 實用新型 CN202121861064.2 CN216370674U 2022-04-26
    7 一種固定碳化硅籽晶的裝置 實用新型 CN202120913417.2 CN216006087U 2022-03-11
    8 標(biāo)記碳化硅晶圓碳硅極性面的方法及對應(yīng)的碳化硅晶圓 發(fā)明專利 CN202111271477.X CN114121619A 2022-03-01
    9 一種生長碳化硅單晶的坩堝結(jié)構(gòu) 實用新型 CN202120915874.5 CN214830783U 2021-11-23
    10 一種制備半絕緣碳化硅單晶的裝置 實用新型 CN202120944141.4 CN214736217U 2021-11-16

    軟件著作權(quán)0

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    1 - www.ivsemitec.com 浙ICP備2021023333號 企業(yè) 2021-07-27
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