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    • 紫光

    無錫紫光微電子有限公司

    存續(xù)
    • 地址：無錫市新吳區(qū)菱湖大道200號中國傳感網(wǎng)國際創(chuàng)新園D2棟四層
    • 簡介：-
    • 商標信息 1
    • 專利信息 106
    • 軟件著作權(quán) 0
    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 1

    商標信息1

    序號 商標名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 IGTO 09類-科學儀器 21246312 商標已注冊 2016-09-08 查看

    專利信息106

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 具有雙屏蔽結(jié)構(gòu)的SGTMOS器件 實用新型 CN202122591526.X CN216120306U 2022-03-22
    2 平面柵溝槽柵集成結(jié)構(gòu)的MOSFET器件 實用新型 CN202122537515.3 CN216120305U 2022-03-22
    3 平面柵溝槽柵集成結(jié)構(gòu)的MOSFET器件 發(fā)明專利 CN202111226596.3 CN113823695A 2021-12-21
    4 具有低導(dǎo)通電阻的超結(jié)MOSFET 實用新型 CN202120079075.9 CN214753770U 2021-11-16
    5 一種改善反向恢復(fù)特性的多次外延超結(jié)器件制作方法 發(fā)明專利 CN201811529742.8 CN109713029B 2021-08-03
    6 一種多次外延的超結(jié)器件制作方法 發(fā)明專利 CN201811529741.3 CN109686781B 2021-08-03
    7 多次外延制作的超結(jié)屏蔽柵結(jié)構(gòu)IGBT 實用新型 CN202023298447.1 CN213845279U 2021-07-30
    8 帶有屏蔽柵結(jié)構(gòu)的IGBT器件 實用新型 CN202022677284.1 CN213424995U 2021-06-11
    9 超結(jié)SGT MOS功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu) 實用新型 CN202022677174.5 CN213184293U 2021-05-11
    10 低導(dǎo)通壓降的載流子存儲型FS-IGBT及制作方法 發(fā)明專利 CN202110019615.9 CN112750893A 2021-05-04

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