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    深圳方正微電子有限公司

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    • 地址：深圳市龍崗區(qū)寶龍工業(yè)城寶龍七路5號方正微電子工業(yè)園
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    • 商標(biāo)信息 2
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    商標(biāo)信息2

    序號 商標(biāo)名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 FMI 09類-科學(xué)儀器 4032891 商標(biāo)已注冊 2004-04-23 查看
    2 圖形 09類-科學(xué)儀器 3988133 商標(biāo)無效 2004-03-30 查看

    專利信息1277

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 濕法蝕刻機臺輔助補藥系統(tǒng)及濕法蝕刻系統(tǒng) 發(fā)明專利 CN202110698678.1 CN113471105A 2021-10-01
    2 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管及其制備方法和應(yīng)用 發(fā)明專利 CN202110271209.1 CN113054031A 2021-06-29
    3 垂直雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管及其制備方法和應(yīng)用 發(fā)明專利 CN202110269950.4 CN113054030A 2021-06-29
    4 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管及其制備方法和應(yīng)用 發(fā)明專利 CN202110268619.0 CN113054029A 2021-06-29
    5 金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管及其制備方法 發(fā)明專利 CN202110270445.1 CN113053999A 2021-06-29
    6 二極管的金屬電極、制備方法和二極管 發(fā)明專利 CN201610475438.4 CN107546120B 2021-04-09
    7 一種多晶硅柵極的制造方法及多晶硅柵極 發(fā)明專利 CN201610361902.7 CN107437500B 2021-04-09
    8 一種晶元在線監(jiān)測方法及裝置 發(fā)明專利 CN201610091124.4 CN107093568B 2021-04-09
    9 一種去除半導(dǎo)體器件制造中的多晶硅殘留的方法 發(fā)明專利 2020101655171 CN112289676A 2021-01-29
    10 帶有ESD結(jié)構(gòu)的溝槽型半導(dǎo)體器件及其制造方法 發(fā)明專利 CN201610201989.1 CN107293486B 2020-12-04

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