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    • 偉特森

    重慶偉特森電子科技有限公司

    存續(xù)
    • 地址：重慶市北碚區(qū)云漢大道117號附237號
    • 簡介：-
    • 商標(biāo)信息 4
    • 專利信息 29
    • 軟件著作權(quán) 0
    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 1

    商標(biāo)信息4

    序號 商標(biāo)名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 WATTSCIENCE 09類-科學(xué)儀器 39888501 商標(biāo)已注冊 2019-07-24 查看
    2 圖形 09類-科學(xué)儀器 39888491 商標(biāo)已注冊 2019-07-24 查看
    3 WTS 09類-科學(xué)儀器 34270636 商標(biāo)無效 2018-10-25 查看
    4 WT 09類-科學(xué)儀器 32103692 商標(biāo)已注冊 2018-07-06 查看

    專利信息29

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 一種半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)及制備方法 發(fā)明專利 CN202111197173.3 CN113948491A 2022-01-18
    2 一種碳化硅半導(dǎo)體器件的制作方法 發(fā)明專利 CN202110908129.2 CN113643970A 2021-11-12
    3 一種消除或減少局部熱應(yīng)力的芯片 實(shí)用新型 CN202121124632.0 CN214588864U 2021-11-02
    4 一種溝槽型碳化硅晶體管及其制備方法 發(fā)明專利 CN202110672504.8 CN113506826A 2021-10-15
    5 一種積累型溝道結(jié)構(gòu)的T-gate溝槽碳化硅晶體管及其制作方法 發(fā)明專利 CN202110568683.0 CN113299748A 2021-08-24
    6 一種用皮秒激光照射制備碳化硅結(jié)構(gòu)的方法 發(fā)明專利 CN201910501481.7 CN112071740A 2020-12-11
    7 一種碳化硅二極管元胞結(jié)構(gòu) 實(shí)用新型 CN201922270391.X CN211719595U 2020-10-20
    8 一種結(jié)勢壘肖特基結(jié)構(gòu)的二極管 實(shí)用新型 CN201922355717.9 CN211629119U 2020-10-02
    9 一種溝槽型SiCIGBT結(jié)構(gòu)及其制備方法 發(fā)明專利 CN202010306447.7 CN111490098A 2020-08-04
    10 一種溝槽轉(zhuǎn)角處具有厚柵氧化層的SiC-MOSFET柵的制備方法 發(fā)明專利 CN202010307604.6 CN111489963A 2020-08-04

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    作品著作權(quán)0

    暫無信息 暫無作品著作權(quán)

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    序號 網(wǎng)站名 網(wǎng)址 備案號 主辦單位性質(zhì) 審核日期
    1 重慶偉特森科技有限公司 www.wattscience.com.cn 渝ICP備18007527號 企業(yè) 2018-06-04
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