吉華微特
深圳吉華微特電子有限公司
存續(xù)商標(biāo)信息1
序號 | 商標(biāo)名稱 | 國際分類 | 注冊號 | 狀態(tài) | 申請日期 | 操作 |
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1 | 圖形 | 09類-科學(xué)儀器 | 20378953 | 商標(biāo)已注冊 | 2016-06-21 | 查看 |
專利信息33
序號 | 專利名稱 | 專利類型 | 申請?zhí)?/th> | 公開(公告)號 | 公布日期 |
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1 | 新型的具有內(nèi)嵌溝道二極管的逆導(dǎo)型IGBT器件 | 發(fā)明專利 | CN202110509714.5 | CN113224149A | 2021-08-06 |
2 | 具有內(nèi)嵌溝道二極管的分離柵MOS結(jié)構(gòu) | 發(fā)明專利 | CN202110469803.1 | CN113193042A | 2021-07-30 |
3 | 一種提高抗短路能力的溝槽柵IGBT結(jié)構(gòu) | 實(shí)用新型 | CN202023147748.4 | CN213692061U | 2021-07-13 |
4 | 一種半導(dǎo)體器件防潮結(jié)構(gòu) | 實(shí)用新型 | CN202023161487.1 | CN213691995U | 2021-07-13 |
5 | 一種具有電流檢測能力的功率MOSFET | 實(shí)用新型 | CN202023165105.2 | CN213583805U | 2021-06-29 |
6 | 大功率智能功率模塊反偏試驗(yàn)方法 | 發(fā)明專利 | CN202110459227.2 | CN112964958A | 2021-06-15 |
7 | 平面與溝槽相結(jié)合場效應(yīng)半導(dǎo)體器件制造方法 | 發(fā)明專利 | CN202110137004.4 | CN112802755A | 2021-05-14 |
8 | 一種超低VF軟快恢復(fù)二極管及其制造方法 | 發(fā)明專利 | CN202110241329.7 | CN112786708A | 2021-05-11 |
9 | 一種高抗短路能力的溝槽柵IGBT | 發(fā)明專利 | CN202110167453.3 | CN112750902A | 2021-05-04 |
10 | 平面型IGBT結(jié)構(gòu) | 發(fā)明專利 | CN202011330868.X | CN112447826A | 2021-03-05 |
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