同方
商標(biāo)信息2
專利信息99
序號 | 專利名稱 | 專利類型 | 申請?zhí)?/th> | 公開(公告)號 | 公布日期 |
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1 | 一種具有應(yīng)力補償效應(yīng)壘層的LED外延結(jié)構(gòu) | 發(fā)明專利 | CN201510589866.5 | CN106549086B | 2019-07-16 |
2 | 一種具有非對稱壘層的藍(lán)光LED外延結(jié)構(gòu) | 發(fā)明專利 | CN201310257933.4 | CN104253182B | 2019-07-16 |
3 | 一種低位錯密度和殘余應(yīng)力的LED外延結(jié)構(gòu) | 發(fā)明專利 | CN201510258317.X | CN106299048B | 2019-03-08 |
4 | 一種具有抑制極化效應(yīng)壘層藍(lán)光LED外延結(jié)構(gòu) | 發(fā)明專利 | CN201410590238.4 | CN105552186B | 2019-03-08 |
5 | 一種能增加LED芯片出光的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu) | 發(fā)明專利 | CN201710683480.X | CN109390444A | 2019-02-26 |
6 | 一種高復(fù)合效率的LED外延結(jié)構(gòu) | 發(fā)明專利 | CN201510258289.1 | CN106299056B | 2018-08-03 |
7 | 能增加LED芯片出光的發(fā)光二級管結(jié)構(gòu) | 實用新型 | CN201721000193.6 | CN207303131U | 2018-05-01 |
8 | 一種改善AlN薄膜晶體質(zhì)量的生長方法 | 發(fā)明專利 | CN201610044801.7 | CN105543969B | 2018-05-01 |
9 | 一種采用復(fù)合電子阻擋層的深紫外LED外延結(jié)構(gòu) | 發(fā)明專利 | CN201610624642.8 | CN107689406A | 2018-02-13 |
10 | 一種在GaAs襯底上生長的藍(lán)光LED外延結(jié)構(gòu) | 發(fā)明專利 | CN201510445284.X | CN106711303A | 2017-05-24 |
軟件著作權(quán)0
作品著作權(quán)0
網(wǎng)站備案2
序號 | 網(wǎng)站名 | 網(wǎng)址 | 備案號 | 主辦單位性質(zhì) | 審核日期 |
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1 | 南通同方半導(dǎo)體有限公司 | www.thtfled.com | 蘇ICP備2021043879號 | 企業(yè) | 2021-09-29 |
2 | 南通同方半導(dǎo)體有限公司 | www.thtfled.net | 蘇ICP備2021043879號 | 企業(yè) | 2021-09-29 |
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