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    • 基本

    深圳基本半導(dǎo)體有限公司

    存續(xù)
    • 地址：深圳市坪山區(qū)坑梓街道辦事處秀新社區(qū)錦繡中路14號深福保現(xiàn)代光學(xué)廠區(qū)B棟201
    • 簡介：-
    • 商標信息 17
    • 專利信息 83
    • 軟件著作權(quán) 0
    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 3

    商標信息17

    序號 商標名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 BASIC - 64698945 等待實質(zhì)審查 2022-05-18 查看
    2 基本半導(dǎo) - 63042704 商標申請中 2022-03-04 查看
    3 PCORE 09類-科學(xué)儀器 55754449 商標已注冊 2021-04-30 查看
    4 PCELL 09類-科學(xué)儀器 55742250 商標已注冊 2021-04-30 查看
    5 P2CELL 09類-科學(xué)儀器 55741619 初審公告 2021-04-30 查看
    6 圖形 09類-科學(xué)儀器 52330309 商標已注冊 2020-12-21 查看
    7 碳小硅 09類-科學(xué)儀器 52316709 商標無效 2020-12-21 查看
    8 BASICSEMI 09類-科學(xué)儀器 49896129 商標已注冊 2020-09-20 查看
    9 圖形 09類-科學(xué)儀器 49894292 商標已注冊 2020-09-20 查看
    10 BASIC SEMICONDUCTOR 09類-科學(xué)儀器 33567298 商標無效 2018-09-17 查看

    專利信息83

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 一種碳化硅MCT器件及其制造方法與應(yīng)用 發(fā)明專利 CN202210230641.0 CN114744032A 2022-07-12
    2 一種溝槽型碳化硅MOSFET器件及其制造方法與應(yīng)用 發(fā)明專利 CN202210231554.7 CN114744019A 2022-07-12
    3 一種功率半導(dǎo)體器件的場限環(huán)終端結(jié)構(gòu)及制備方法 發(fā)明專利 CN202210168633.8 CN114725185A 2022-07-08
    4 一種復(fù)合燒結(jié)片及其制備和在芯片互連封裝中的應(yīng)用 發(fā)明專利 CN202210174437.1 CN114709184A 2022-07-05
    5 一種功率模塊封裝用的高導(dǎo)熱性復(fù)合材料及其制備方法 發(fā)明專利 CN202210089237.6 CN114702782A 2022-07-05
    6 一種SiCLDMOS器件及其制作方法 發(fā)明專利 CN202111129313.3 CN113782611B 2022-06-14
    7 封裝結(jié)構(gòu)及應(yīng)用該封裝結(jié)構(gòu)的功率模塊 發(fā)明專利 CN202210039463.3 CN114597183A 2022-06-07
    8 一種自支撐納米金屬片及封裝方法 發(fā)明專利 CN202111593880.4 CN114388466A 2022-04-22
    9 一種翹曲度測量裝置 發(fā)明專利 CN202011102068.2 CN114370811A 2022-04-19
    10 一種復(fù)合場限環(huán)終端結(jié)構(gòu)及制備方法 發(fā)明專利 CN202111565959.6 CN114335141A 2022-04-12

    軟件著作權(quán)0

    暫無信息 暫無軟件著作權(quán)

    作品著作權(quán)0

    暫無信息 暫無作品著作權(quán)

    網(wǎng)站備案3

    序號 網(wǎng)站名 網(wǎng)址 備案號 主辦單位性質(zhì) 審核日期
    1 深圳基本半導(dǎo)體有限公司 www.basicsemi.com 粵ICP備20017456號 企業(yè) 2020-03-18
    2 深圳基本半導(dǎo)體有限公司 www.basicsemi.com 粵ICP備20017456號 企業(yè) 2020-03-18
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